當漏電流(subthreshold current)產生時，是因為MOS不導通， ... 推jamtu:你用先進製程的話最好還是不要用基本半導體物理去看才對 03/22 13:15. ... <看更多>

外壳 漏电流 的检测. 李先生. 李先生. 8 subscribers. Subscribe ... 接地接到哪了？ 爱上 半导体. 爱上 半导体. •. •. 104K views 1 year ago ... ... <看更多>

【MOSFET 測試參數解釋】 直流參數(靜態): ①崩潰電壓BVDSS： 此為汲極端–源極端所能承受電壓值，主要受制內部逆向二極體的耐壓。 ②通道漏電流IDSS：... ... <看更多>