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一般而言gm/id的值落在5-25之間，越大的電流需要越大的W/L才能達到很大的gm/id。gm/id小稱之為strong inversion，gm/id大則稱之為weak inversion (subthreshold region)。 ... <看更多>
... 先知道，subthreshold region不可以用二次方公式代他在first order是一個BJT的exponential model 在Vgs - Vth < 0 時仍然可以得到正確的電流值而 ... ... <看更多>
了次臨界斜率(subthreshold swing)ヽ臨界電壓(threshold voltage)ヽ電導 ... 由5-1 式場效電晶體在飽和區時的汲極電流公式我們知道在相同.
透過弱反轉而從源極流至汲極的載子數量與|VGS| 的大小之間呈指數的關係，此電流又稱為亚阈值电流（subthreshold current）。 在一些擁有大量金氧半場效電晶體的積體電路 ...
#3. 亞閾值擺幅_百度百科
中文名. 亞閾值擺幅. 外文名. Subthreshold swing. 別名. S因子. 公式 ... S在數值上就等於為使漏極電流Ids變化一個數量級時所需要的柵極電壓增量ΔVg。
#4. 亞閾值電流 - 中文百科全書
亞閾值擺幅（Subthreshold swing）， 又稱為S因子。這是MOSFET在亞閾狀態工作時、用作為邏輯開關時的一個重要參數，它定義為：. S = dVgs / ...
#5. 國立臺灣師範大學機電工程學系碩士論文指導教授：劉傳璽博士 ...
擺幅(Subthreshold Swing, S.S.)和汲集引起的能障下降(Drain-Induced Barrier ... 因此常見的飽和電流公式(公式(2.1))並不適用在穿隧電晶體上，而是使用.
#6. 金氧半電晶體（MOSFET）
利用在飽和狀態達到時，汲極之反轉電子濃度為零，可將電流公式簡化為：. 其中. 此為閘極控制電流的 ... 實際上仍有汲極電流，稱為次臨限電流(subthreshold current) 。
#7. Re: [問題] MOS的一些問題- 看板Electronics - 批踢踢實業坊
... 先知道，subthreshold region不可以用二次方公式代他在first order是一個BJT的exponential model 在Vgs - Vth < 0 時仍然可以得到正確的電流值而 ...
#8. 半導體第六章
理想電流關係圖依所推導之電流公式所畫之關係圖，可看出電流電壓成正比的線性區 ... 次臨限區(Subthreshold region) <ul><li>當閘極電壓低於臨限電壓而半導體表面只 ...
#9. Chapter 3 場效電晶體(The Field-Effect Transistor)
表3.1.1 為N 通道增強型MOSFET，各種狀態下的電流電壓公式。 Kn稱為導電參數(Conduction Parameter)=μn×Cox×W. 2×L. ，W:通道寬度、L:通道長.
#10. 國立中山大學電機工程學系碩士論文銦鎵鋅氧薄膜電晶體於負偏 ...
稱為次臨界電流(Subthreshold Current)，而在次臨界區的汲極電流對閘極電壓的 ... 由次臨界擺幅公式(4.1.2)，可知S.S 會受到界面缺陷與元件材料內的缺陷的.
#11. 低溫複晶矽薄膜電晶體在電性與應力下的劣化機制研究 ...
大值時，所對應到的ID電流值，在該電流值上作切線，而該切線所擷. 取到的VG. ➢ 次臨界擺幅SS（the minimum subthreshold swing）的參數取法同上. 值即是臨限電壓。
#12. Jamtu's Analog Integrated Circuits - Facebook - 登录或注册
一般而言gm/id的值落在5-25之間，越大的電流需要越大的W/L才能達到很大的gm/id。gm/id小稱之為strong inversion，gm/id大則稱之為weak inversion (subthreshold region)。
#13. 國立高雄大學電機工程學系碩士班碩士論文
小，驅動電流上升，而次臨界擺幅會變大，漏電流增加，當背面偏壓為負偏壓. 則呈現相反的趨勢。 ... body effect, hot carrier effect, driving current, subthreshold.
#14. mos 電流公式– 電流安培計算公式 - Jbcustions
很多人對subthreshold region有迷思尤其是做高速電路大電流習慣的人聽到Vgs<Vth就覺得你在亂做MOS根本打不開而事實上在很多low-power的應用好啦，uA甚至nA等級的電流 ...
#15. subthreshold swing公式 話題討論 - winXmac軟體社群
了次臨界斜率(subthreshold swing)ヽ臨界電壓(threshold voltage)ヽ電導. (transconductance)和遷移率(mobility)等... 由5-1 式場效電晶體在飽和區時的汲極電流公式我們 ...
#16. 成果報告資料顯示 - 工程科技推展中心
degradation)與次臨界電流(Subthreshold Current) 等行為，並且無須任何經驗參數( ... 半場效應電晶體含有氧化層介面缺陷電荷』當其應用於記憶體電路有效之評估公式。
#17. 博碩士論文行動網
次臨界電流突增(subthreshold current hump)模型， 同時發現，對N型元件而言參雜濃度越高的情形 ... 電流突增發生點之觸發汲極電壓公式也可以分析得到。根據此結果，
#18. 淡江大學電機工程學系碩士班（積體電路與計算機組）
transistors operating in subthreshold to reduce power consumption in recent years. In ... 2.4 電晶體通道電流公式推導. ... 2.4.1 弱反轉電流公式推導.
#19. 邏輯閘層次電源分析（Gate-Level Power Analysis）
電流 及負載電容充放電（Charge/Discharge）. 所造成的功率消耗，屬於Switching Current ... 其功耗值可由下列公式 ... 率消耗是由於次臨界電流（Subthreshold.
#20. BSIM3v3 模型介紹與萃取方法
(Subthreshold Region)、線性區(Linear Region) 以及飽和區. (Saturation Region) 的汲極電流特性。 ... 基板電流可以用公式(8) 來描述，其中αo/βo分別為離子化.
#21. 金屬氧化物半導體場效電晶體
上述的公式也是理想狀況下，MOSFET在飽和區操作的電流與電壓關係式。 ... 的載子數量與VGS的大小之間呈指數的關係，此電流又稱為次臨界電流（subthreshold current）。
#22. CMOS记录（7） - 知乎专栏
接下来继续讨论上节的电路common-sourse stage with diode-connected load，不考虑subthreshold conduction，假设电流为很小（接近0）时 [公式].
#23. 革命性創新的三維鰭型電晶體 - 國家實驗研究院
上）長閘極（長通道）與（下）短閘極（短通道）對電流控制的示意圖。 ... 爾電流公式來描述電流行為是很足夠的，然 ... 個開關響應能力的指標叫做subthreshold.
#24. National Central University Chapter 5 金氧半場效電晶體及相關 ...
N通道空乏模式P通道增強模式基板為n型半導體，汲極與源極為p型摻雜。 ... 實際上仍有汲極電流，稱為次臨限電流(subthreshold current) 。 MOSFET 做為開關使用時， 次臨限區 ...
#25. 何家緯、陳彥文、邱培誠
參考原本論文上的架構以及matlab的公式，透過上面的參數去調整spike，在STDP的電路我們也模. 擬出Vw的變化。 ... 操作在subthreshold region ，透過改變input 電流、.
#26. 亚阈值电流及亚阈值摆幅/阈值电压-KIA MOS管 - 场效应管
亚阈值电流是在MOS管理想的电流－电压特性中，当Vgs小于Vt 时，漏极电流Id 为0。 亚阈值电流，或称亚阈值漏电流（英语：subthreshold leakage），是金属氧化物半导体场 ...
#27. Re: [問題] MOS的一些問題
... 先知道，subthreshold region不可以用二次方公式代他在first order是一個BJT的exponential model 在Vgs - Vth < 0 時仍然可以得到正確的電流值而 ...
#28. 亞閾值擺幅(Subthreshold swing)是MOSFET在亞閾狀態工作時
S在數值上就等於為使漏極電流Id變化一個數量級時所需要的柵極電壓增量ΔVgs，注意S是從Vg-Id曲線上的最大斜率處提取出來的。表示著Id~Vgs關係曲線的上升率。 算法. S值與 ...
#29. Lab 1：HSPICE 介紹目的： - 輔仁大學學術資源網
2.4101m *MOS電流公式中的β參數 gam eff 987.3837m *MOS元件中， TH. V 值之公式中Y的參數 gm. 512.4819u *MN1 small signal model之gm值.
#30. 使用IVCharacteristics工具计算分析器件的电流电压特性[费米维基]
点击中间区域的加号按钮，下拉菜单选择Subthreshold Slope，将电压区间调整为-0.9V 到-0.35V。 计算得到的 ...
#31. 行政院國家科學委員會工程技術發展處晶片設計製作中心
使用到BJT 的跨壓會隨溫度上升而下降的特性，以下是電流公式推導: ... consisting of subthreshold CMOS circuits,”Circuits and Systems II: Express Briefs, ...
#32. 新穎垂直式高集積薄膜互補金氧半技術之研究 - eThesys 國立 ...
漏電流(PN Junction reverse-bias current)、次臨限漏電流(Subthreshold leakage)、熱 ... 上面公式提到的符號，是熱電壓， 是代表負型金氧半場效電晶體本體摻 ...
#33. 明新科技大學校內專題研究計畫成果報告
是,在很小及很大的VG 值時,實際的數值會偏離公式(2.48)所預測的值.在VG. 值很小時,直線的誤差是因為次臨界電流(Subthreshold current)的影響;而VG 值很.
#34. 具堆疊介電層五苯環紫外光電晶體之研究 - 義守大學
2-3 有機薄膜電晶體之公式參數介紹. 一個電晶體的好壞需要由許多參數去探討的，如載子遷移率(Mobility)、臨. 界電壓(VTH)、次臨界斜率(Subthreshold swing) 以及關電流 ...
#35. 奈米線電晶體的微縮特性之研究 - 國立宜蘭大學機構典藏
然而對於元件每10 倍電流變化之次臨界擺幅(Subthreshold Swing, S.S.)也在我們的 ... 我們由之前所描述等電流公式(2-9)在圖2-9 得到臨界電壓(Threshold Voltage, VT)，.
#36. 朝陽科技大學資訊與通訊系碩士論文
根據上述兩項我們可求得電路的總功率消耗如公式(2.1)所示：. (2.1). 因動態功率消耗(. )又可分為短路電流功率(PSC，short-circuit.
#37. 關於LDO的POWER MOS - 電源管理討論區 - Chip123 科技應用 ...
不好意思,有些LDO的問題一直困擾著我在設計LDO時,假設最大輸出電流 ... 由mosfet的電流公式就可說明一切,在saturation region的電流公式是有平方, ...
#38. 关于亚阈值区电流公式的问题！ - 第2页- 技术讨论 - EETOP论坛
关于亚阈值区电流公式的问题！ ,EETOP 创芯网论坛(原名：电子顶级开发网) ... 因为subthreshold的界定是根据vth来的.
#39. 亚阈值电流及亚阈值摆幅/阈值电压-KIA MOS管 - 亚洲彩票平台
亚阈值电流是在MOS管理想的电流－电压特性中，当Vgs小于Vt 时，漏极电流Id 为0。 亚阈值电流，或称亚阈值漏电流（英语：subthreshold leakage）， ...
#40. 政府研究資訊系統GRB
本計劃的目標就是發展具陡峭次臨界斜率之高電流異質穿隧電晶體及其方向性選擇，利用異質穿隧於subthreshold region可快速將電流拉昇特性(小.
#41. MOS晶体管亚阈状态详细详解 - 壹芯微二极管
这时还是有一股较小的电流通过器件，该电流即称为亚阈电流。 ... 因此，电流模型可以通过利用一个基于双极模型的公式推导来实现，电流公式为：.
#42. 深亚微米集成电路静态功耗的优化
另外，由于栅源之间的电压VGS 为负，根据公式（1），这将引起亚阈值电流的进一步减 ... Subthreshold leakage control techniques for low power digital circuits[D].
#43. 動態臨限電壓場效電晶體之零溫度係數點模型研究 - Airiti ...
在這個縝密的模型分析過程中，我們不僅考慮基板偏壓效應(body bias effect )，還修正了飽和區理想電流公式中的次方項。因此，不論是在線性區或者飽和區，我們都得到 ...
#44. 金屬氧化物半導體場效電晶體 - Wikiwand
Ohmic contact to body to ensure no body bias; top left:subthreshold, ... 上述的公式也是理想狀況下，金氧半場效電晶體在飽和區操作的電流與電壓關係式。
#45. 側向與垂直式環繞式閘極電晶體陣列的特性與實用性研究
通電流與本質延遲時間的影響與趨勢，先評估實際製作的優勢、減 ... subthreshold swing (SS) which is linked to interface traps. Fig. 2(a) shows the bulk FinFET ...
#46. CN102707227B - 一种场效应晶体管阈值电压提取方法
[0030] 203)在不同的栅-源电压(Vgsl和Vgs2)下测量输出电流曲线，得到公式II中A和B的比例(A和B)，如公式III和IV所示。 Figure CN102707227BD00051. [0033] 204)将公式IV代入 ...
#47. 堆疊式金屬閘極鰭式電晶體的電性特性與可靠度分析 - 9lib TW
(3) 降低元件漏電流(Leakage Current) (4) 改善次臨界擺幅(Subthreshold Swing, S.S.) (5) 較高的轉移電導(Transconductance, GM) (6) 較低的功率消耗(Power ...
#48. 中華大學碩士論文
當閘極到通道的穿隧電流等於截止狀態時源極到汲極的subthreshold leakage (一般 ... 由以上公式發現，氧化層厚度的減少與漏電流密度呈指數倍率的增加，在元件持.
#49. 漏電流的計算公式是什么_百度知道 - Hrkpar
至于說到計算公式，我也從來沒有在哪一本書上看見過。 漏電流是在對被測 ... 當漏電流(subthreshold current)產生時，是因為MOS不導通， D端和S端的電壓差造成漏電流。
#50. 亚阈值电流 - 万维百科
亚阈值电流，或称亚阈值漏电流（英语：subthreshold leakage），是金属氧化物半导体场效应管栅极电压低于晶体管线性导通所需的阈值电压、处于截止区（或称亚阈值状态） ...
#51. Special Topic on Oxide Reliability - url.tw
1.2.5 Isd,leak: Source/Drain subthreshold off-state leakage current . ... 閘極引發汲極漏電流（gate-induced drain leakage、GIDL）增大 ... 根據前述公式可得：.
#52. CN102147632B - 一种无电阻的带隙基准电压源- Google Patents
具体包括启动电路，自偏置电流源电路，和带有PTAT失调的电压跟随器，其中，启动电路与自偏置电流源电路 ... [0005] 公式（I)中的系数K通常是两个同类型电阻的比值。
#53. 金氧半二極體、電晶體及其電性討論 - Scribd
由平帶電壓公式可知： ... 理想電流關係圖利用在飽和狀態達到時，汲極之反轉電子濃度為零，可將電流公式簡化為 ... 實際上仍有汲極電流，稱為次臨限電流(subthreshold
#54. 金屬氧化物半導體場效電晶體 - NiNa.Az
截止區（次臨界區或弱反轉區）（cutoff, subthreshold or ... 上述的公式也是理想狀況下，金氧半場效電晶體在飽和區操作的電流與電壓關係式。
#55. 基于施密特触发的高鲁棒性亚阈值标准单元
亚阈值电流Isub计算公式如式(1)所示[13],W和. L分别为MOS管的有效沟道宽度和长度,VTH为晶. 体管阈值电压,m为体效应系数,VT=kT/q为热电. 参数,I0为方块漏极电流,e为自然 ...
#56. MOSFET亚阈值导电特性-亚阈值斜率提取 - 电子工程专辑
由于MOSFET的亚阈电流IDsub随着VGS的增大而指数式增加，为了表征这种栅-源 ... 状态（工作模式），又称为MOSFET的亚阈值区（Subthreshold region）。
#57. 國立臺灣大學電機資訊學院電子工程學研究所碩士論文閘極蝕刻 ...
開關比由1 個數量級增加至6 個數量級，但導通狀態電流由373 μA/μm 降低至95 ... 稱為次臨界擺幅(subthreshold swing)(SS)，此指標自然是越小越好。次臨界擺幅與.
#58. 金屬氧化物半導體場效電晶體 - 中文维基百科
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#59. 110年公務人員高等考試三級考試試題
本科目除專門名詞或數理公式外，應使用本國文字作答。 代號：37780. 頁次：2－1 ... 以金氧半場效電晶體為例，請說明次臨界電流（subthreshold current）. 的定義。
#60. 矽晶・電子：革命性創新的三維鰭型電晶體 - 科技大觀園
而衡量這個開關響應能力的指標叫做subthreshold swing，這在物理上有一個極限值，約為60 mV∕dec（也就是每60 mV的閘極電壓，驅動電流增加一個級數）。 當電晶體閘極尺寸 ...
#61. 关于subthreshold的讨论汇总- 话题女王- 未名观察
这是一本计算神经科学的优秀著作，全文拷贝这里（图和公式缺），有兴趣的同学 ... 比如电流加法，乘法，在MOS管subthreshold的区域工作获得一些非线性的计算之类的。
#62. 模拟CMOS 基础知识4——短沟道效应 - CSDN博客
目前我的理解就是可以使得栅极更容易地夹断电流。 ... 亚阈值摆幅亚阈值摆幅(subthreshold swing)是衡量晶体管开启与关断状态之间相互转换速率的性能 ...
#63. 漏電流
當漏電流(subthreshold current)產生時，是因為MOS不導通， D端和S端的電壓差 ... AC 測試之漏電流理論計算: 測試之漏電流理論計算: 之漏電流理論計算*** 計算公式: I ...
#64. 应变Si NMOSFET 漏电流解析模型 - 物理学报
了应变Si NMOSFET 漏电流及其导数, 从亚阈值区到强反型区以及从线性区到饱和区的平滑性, 解决了模型的连续 ... 公式[8]. µeff = µ0. 1+θa(Vgs −Vth)+θbVsb +θcVds.
#65. 第一章晶體性質與半導體成長
缺點：(1)元件在高溫時易產生較大之漏電流。 缺點(1)元件在高溫時易產生較大之漏電流 ... (公式推導如下頁) ... 稱做次臨界導通(subthreshold conduction)。
#66. CMOS电路的功耗
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#67. 使用二維光學檢測技術對氮化鎵發光二極體的脆弱結構及穩定性 ...
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#68. 「臨界電壓定義」+1
隨著VGS增加超過臨界電壓，感應通道自由載子的密度將增加，汲極電流也增加。 ... 持續增加時，汲極電流將會持續增加而保持定值，稱為 ... ,了次臨界斜率(subthreshold ...
#69. 金屬氧化物半導體場效電晶體
Ohmic contact to body to ensure no body bias; top left:subthreshold, ... 上述的公式也是理想狀況下，金氧半場效電晶體在飽和區操作的電流與電壓關係式。
#70. ARMから見た7nm CMOS時代のCPU設計（13）～高移動度 ...
ゲート電圧が0Vから増加するときに、電流の立ち上がりの急峻さは「SS（Subthreshold Swing）」あるいは「S係数」と呼ぶ数値で示すことが多い。具体的には ...
#71. 亚阈值区域的饱和电流 - 精作网
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#72. 漏電電流的英文怎麼說 - TerryL
電流 : current; galvanic current; electric current; electricity; ... 的影響，給出了一個用於研究漏源電流溫度特性的電流公式；並推導了短溝道most 的ztc 點公式。
#73. 第22卷第3期2001年3月
用PDO 方法研究全电流Pao Sah 双积分模型,结果发现源漏电流的比例差分特性在所有的工作区域内 ... 避免冗繁地计算双积分公式,并可以容易地提取出重要的MOSFET电学参数,.
#74. 全面解读MOSFET的实用性-用户体验-ROHM技术社区
MOS受到基板效应影响，临界电压会有所改变，公式如下： ... 发生弱反转的闸极电压会比从前更低，于是所谓的亚阈值电流（subthreshold current）造成的 ...
#75. 半導體元件物理與製程─理論與實務 - 第 141 頁 - Google 圖書結果
... 從次臨界電流的公式(4.25)可知,當 V 大於幾個 kT/q 的正電壓時,e 項可略去不計, ... 為「次臨界斜率(subthreshold slope)」或「次臨界擺幅(subthreshold swing)」, ...
#76. 亞閾值擺幅 - 中文百科知識
... 它代表源漏電流變化十倍所需要柵電壓的變化量，又稱為S因子，S越小意味著開啟關斷速率ON/OFF越快。簡介亞閾值擺幅（Subthreshold swing）， 又稱為S因子。
#77. 所謂MOSFET－閾值、ID-VGS特性及溫度特性| 基本知識
也就是說，VGS如果是閾值以上的電壓，則MOSFET可導通。 可能會有人提出疑問說這種「MOSFET導通」的狀態，到底「電流ID是多少的狀態呢？」。的確， ...
subthreshold電流公式 在 Re: [問題] MOS的一些問題- 看板Electronics - 批踢踢實業坊 的必吃
※ 引述《xuwei (歸零)》之銘言：
: ※ 引述《iiiikkk (東森媒體科技)》之銘言：
: : 請問MOS我讓它Vod>Vds>Vdsat, 並且Vgs<Vth
: : 此時MOS操作在sub-threshold 區
: : 若電路是current mirror, 會影響到mismatch嗎(如果我給它W*L很大也沒用嗎)?
: : 就我所知Vds>Vdsat就會在是saturation (velocity saturation)
: : 是否一定要將Vds>Vod才安全?
: Mismatch來源
: 1. Beta 2. Vth
: 若操作在subthreshold 區，造成Vgs-Vth<0，造成Vth mismatch這一項變大
: 當然你可以將W*L 取很大將Beta mismatch降低，但是這跟Vth mismatch是兩件事
: 所以囉~對於current mirror設計還是設計在W*L相同的前提下降低W，增加L方式
: 讓它們操作在strong inversion區吧~
: 當然啦~ 進一步降低current mismatch還可以用cascode方式，這些Razavi書上都有講
: 至於LDO喔~ 隨便啦，bias current就算變個+-10%也沒差
很多人對subthreshold region有迷思
尤其是做高速電路大電流習慣的人 聽到Vgs<Vth就覺得你在亂做
MOS根本打不開
而事實上在很多low-power的應用
好啦，uA甚至nA等級的電流對於他們的確是沒有打開XDD
首先要先知道，subthreshold region不可以用二次方公式代
他在first order是一個BJT的exponential model
在 Vgs - Vth < 0 時仍然可以得到正確的電流值
而由於真實的模型過於複雜，我們設計電路一定是看gm/Id這個parameter
gm/Id大表示電路在weak inversion而且不等於2/Vov因為Vov是負值
在二次方公式內若Vgs很靠近Vth會得到無限大的gm這件事情不存在
gm/Id在MOS很難超過25，在電流nA等級才有機會超過30
而gm/Id小表示電路在strong inversion，即一般俗稱saturation region
--
為什麼要看gm/Id? 這對理解mismatch有直接的幫助
用二次方甚至exponential公式去看mismatch的影響比較複雜一些
不如假設電路都在我設定好的操作點去看mismatch，所有的影響都變成一階
首先要先知道 δβ/β 以及 δVth 都跟物理大小(面積根號)直接成反比
beta對電流的影響是直接的，電流轉換成Vos就是除以一個gm
(δI/I) = (δβ/β) yields Vos = (δβ/β)*(I/gm)
Vth對Vos的影響是直接的，轉換成電流的變異就是乘以一個gm
δVos = δVth yields (δI/I) = (δVth)*(gm/I)
對於OP的input pair來講，我們關注的是Vos
若電路操作在weak inversion，I/gm很小，δβ/β的影響微乎其微
所以可以斷定 δVos = δVth
對於current mirror來講，我們關注的是(δI/I)，也就是電流偏移比率
從β來看，假設你的物理大小讓β有1%的mismatch，那電流的mismatch就是1%
從Vth來看，1mV的offset在gm/Id = 25的情況下會直接導致2.5%的mismatch
而在gm/Id = 10的情況只會導致 1%
所以你應該想辦法去降低gm/Id，也就是讓電路操作在strong invertion比較好
--
最後講到很多人的迷思
假設我們永遠都用二次方公式來看mismatch，而且Vth永遠都是500mV
而且Vth的變異量都是1mV
甲同學設計Vgs = 600mV 乙同學設計Vgs = 501mV
根據二次方計算的結果，乙同學的mismatch會導致他電路完全不會動
但是根據實際的model，乙同學可能只比甲同學多了2%的誤差
這一切都是沒有考慮gm/Id惹的禍
當然讓電路操作在strong inversion有其他好處
比如你Rout變大，這正是所有current mirror應該有的理想特性
只是weak inversion，真的，沒那麼嚴重，理論上啦
起碼目前我的電路做在50nA的地方都動得很好
至於obov大所提到的不被亂幹的問題
可能才是做電路最需要學習的
阿彌陀佛
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 27.105.1.245
※ 編輯: jamtu 來自: 27.105.1.245 (04/18 02:30)
請問一下什麼是sub-threshold swing?
嗯如果是differential跟負回授的電路 比較能夠抵抗製程變異的影響
因為最後誤差都是取決於負回授的比值 以及非理想效應的order
所以low power的電路用在sensor 不可能做single end
上面這個case用二次方公式來看
假設Vth有1mV的誤差而來到501mV，乙同學的電流就是0了
誤差比例無限大
這個case討論的是Id的變異
因果關係不太一樣
我們在電子學裡是得到 gm/ID = 2/Vov
依照這個特性，當VGS很靠近Vth時，gm/ID會爆衝到無限大
完全違背了事實
所以我們必須先假設我們不懂實際的model
但是我們知道在某一個操作點附近，做了小信號模型而產生了gm/ID這樣的東西
那麼輸入端兩邊電壓不匹配，直接乘以gm就是電流的不匹配
你講的沒有錯
所以我強調我是用"小信號分析"的觀點去看
小信號分析的精髓是，先假設他們都在同一個操作點
offset並沒有讓他們操作點出現了偏差 <=> 他們操作的偏差可以用offset表示
... <看更多>
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