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mos飽和區條件在 [問題] 將mos設計為開關的方法- 看板Electronics 的必吃

作者linpogin213 (linpogin)

看板Electronics

標題[問題] 將mos設計為開關的方法

時間Mon Feb 8 11:05:03 2021

目前對於mos的應用有點搞不太清楚
該如何將mos設計為一開關使用
若將mos設為開關，需控制在歐姆區操作
Vgd>Vt, Vgs>Vt,此時Vds很小就能當作開關使用

有疑問的部分是我該怎麼設計一簡單電路為開關線路呢？需注意的部分有哪些

還有一個問題是飽和區的條件為Vgd<=Vt, Vg>=Vt,此時Vds很大

這部分是調整Rd去控制mos在飽和區或歐姆區嗎？還是有其他方式可以調整Vds的電壓

--

※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 101.10.29.42 (臺灣)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1612753505.A.EC2.html

→ samm3320: 當開關不會操作在飽和區 02/08 11:29

→ samm3320: 飽和區的vds 也不用很大，超過vgs-vt 就行了 02/08 11:31

推 taipoo: google「MOS 開關電路」找圖片，就有一堆電路圖範例了 02/08 11:33

→ linpogin213: 嗯我知道開關是要用在歐姆區，但要怎麼確保mos工作 02/08 11:35

→ linpogin213: 在歐姆區呢？畢竟只差在Vgd>Vt這部分 02/08 11:35

→ samm3320: vg拉高你就很難在飽和區啦 02/08 11:39

→ samm3320: 你要把mos 當作可變電阻來思考 02/08 11:39

→ samm3320: vgs拉電阻變很小，你要保持很大的vds操作在飽和區代表你 02/08 11:40

→ samm3320: 要灌很大的電流給他 02/08 11:40

→ samm3320: 電流不夠他就會自然在歐姆區 02/08 11:41

→ samm3320: 當開關很多時候根本沒電流，只有電容負載，自然不會在 02/08 11:42

→ samm3320: 飽和區 02/08 11:42

→ linpogin213: 所以基本上Vgs>Vt都能操作在歐姆區，除非Rd太小或VDD 02/08 11:54

→ linpogin213: 太大，才有可能導致mos進飽和區嗎 02/08 11:54

→ linpogin213: Vgs調大，Id變大，Rds(on)變小，Rd不變的情況下Vds 02/08 11:56

→ linpogin213: 變小，就能操作在歐姆區 02/08 11:56

→ samm3320: vgs>vt你本來就可以設計Id來決定要把mos操作在飽和還歐 02/08 12:00

→ samm3320: 姆區 02/08 12:00

推 taipoo: 基本上，MOS電流是跟通道開啟的開口寬度有關，Vgs不大時， 02/08 12:04

→ taipoo: 通道一端開口隨Vgs愈大愈大，但Vgs大到一個程度時，通道開 02/08 12:04

→ taipoo: 口就達到極限寬度了，此時通道開口幾乎是最大的，而歐姆區 02/08 12:04

→ taipoo: 跟飽和區的差別，就在於通道開口是否有限或可微調了 02/08 12:04

→ linpogin213: 據我目前的理解，Rd不變的情況下，單調整Vgs的話，會 02/08 12:24

→ linpogin213: 影響Id的大小，進而影響Vds，但在Vgs不變的情況下， 02/08 12:24

→ linpogin213: 若要決定歐姆區或飽和區的話，應是調整Rd來決定Vds， 02/08 12:24

→ linpogin213: 此時便能控制Vds大小進而控制mos在歐姆區或飽和區， 02/08 12:24

→ linpogin213: 我這理解是對的嗎 02/08 12:24

推 mmonkeyboyy: 你要什麼開關? 0/1 analog? 02/08 12:26

→ linpogin213: 單純就是Vgs拉H，Vd拉L的開關而已，只是L要拉的確實 02/08 12:29

→ linpogin213: ，若不小心在飽和區的話，L就非0V了吧 02/08 12:29

→ samm3320: 邏輯開關根本沒電流，怎麼跑到飽和區 02/08 12:36

→ linpogin213: Vgs拉H，mos導通，不就會有Id電流嗎 02/08 13:46

→ linpogin213:

02/08 13:47

→ linpogin213: 單純這種電路 02/08 13:48

→ samm3320: 欸因為現在大多都用cmos邏輯了，你要用nmos 邏輯的話那 02/08 14:42

→ samm3320: 就是Rd要放夠大 02/08 14:42

推 andyping: 數位用transmission gate就ok啦 nmos 就是會加負載之類 02/08 16:01

→ andyping: 的 02/08 16:01

推 mmonkeyboyy: 樓上正解所以我才問到底要什麼開關 02/09 00:20

→ mmonkeyboyy: on/off的拿到TG就解了別串太多就好 02/09 00:22

推 oldhan1: 買零件插板一測就明白了 04/15 23:35

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#71. Chapter 6 金氧半場效電晶體及相關元件 - SlidePlayer

產生原因：主要是因為MOS操作時所產生的電子電洞被氧化層內的雜質或未飽和鍵所 ... 56 飽和區（續）當汲極電壓大於VDS(sat)反轉電荷為零的點往源極移動，此時電子 ...

#72. Modern VLSI Devices研讀小組 - 心得報告- 清華大學

接著來看飽和電壓和飽和電流的關係，MOS在相同的閘極操作電壓下，一般長通道不考慮通到夾止的問題，如黑色虛線所示，而在短通道的條件下，因為通道會 ...

#73. 詳解，N溝道MOS管和P溝道MOS管

出處：P溝道mos管作為開關的條件（GS >GS（TH）） ... 與結型場效電晶體一樣,其輸出特性曲線也可分為可變電阻區、飽和區、截止區和擊穿區幾部分。2） ...

#74. MOSFET 栅极驱动电路

概述：. 本文档说明了功率MOSFET 的栅极驱动电路。 ... 及其使用条件。 ... 适合您系统要求的功率MOSFET。箍断电压：VDS＝VGS－Vth. 线性区. 饱和区.

#75. 請問關於電學性能的參數有哪些呢？ - GetIt01

若把飽和區的柵極跨導改寫為與飽和電流的關係，則在不同條件下具有不同的形式。對於已經製作好的MOSFET，有. gm sat ∝ (IDsat)1/2. 這時可以通過增大飽和電流來提高跨 ...

#76. 2。金屬氧化物半導體FET（MOSFET） - TINA和TINACloud

金屬氧化物半導體FET（MOSFET）是四端子器件。 ... MOSFET的柵極端子與溝道絕緣，並帶有二氧化矽電介質。 ... PMOS晶體管中飽和區的等式也與NMOS的等式相同。那是，.

#77. 截止/三极/饱和区| 《电路基本原理》全英讨论课第七集 - BiliBili

#78. OP用BJT和MOS的優缺點在那?－第1頁 - 電子工程專輯.

大家相信都有用過OPA741 現在相似的OP很多種不過有的用BJT有的用MOS 有 ... 兩種操作模式：線性區與飽和區，線性區適用於放大電路，而飽和區則為開關 ...

#79. BJT電晶體開/關應用筆記 - MU HAN的部落

BJT電晶體主要有幾個工作區也是它的動作特性(工作模式)區，譬如要作開/關動作或放大器動作則要選擇 ... 飽和區內的電晶體像是一個閉合(ON)的開關。

#80. National Central University Chapter 5 金氧半場效電晶體及相關 ...

Materials Science and Engineering National Central University MOS二極體• ... National Central University ID-VD 飽和區• 當汲極電壓大於VDS(sat) 反轉電荷為零的 ...

#81. MOS管的工作原理 - w3c學習教程

與nmos一樣，導通的pmos的工作區域也分為非飽和區，臨界飽和點和飽和區。當然，不論nmos還是pmos，當未形成反型溝道時，都處於. 截止區，其電壓條件是.

#82. MOS器件的重要特性——15個為什麼？ - 壹讀

導致出現這種平方關係的原因有二：. ①溝道寬度越大，飽和源-漏電流越大，飽和電壓也就越高； ②電流飽和就對應於溝道夾斷，而夾斷區即為耗盡層，其寬度與 ...

#83. 求解釋一些MOS管驅動電壓,求高手分析下這個mos管驅動電路 ...

只有一種vod大於零,說明電晶體溝道半開(在ds任意一端沒開啟有夾斷),也就是處於飽和區。求高手分析下這個mos管驅動電路的原理,主要講解下兩個電阻的選 ...

#84. 篇名積體電路以及邏輯組合電路作者陳俊智。私立致用高中。三 ...

ECL 族，MOS 族、IIL 族等，若依製造技術的不同，數位積體電路又可分為兩類， ... 電位就是高電位，或者對電晶體而言不是在飽和區就是在截止區。這兩種動作狀.

#85. 經濟部所屬事業機構105 年新進職員甄試試題

如右圖之電路，在下列哪種條件下，其電壓增益值V V ... 如右圖之電路，要確保此電路可以開始振盪，其條件 ... 對一MOSFET 以一固定的vGS 電壓操作在飽和區，在vDS.

#86. MOS管三極體IGBT之間的因果關係是什麼呢？

這裡涉及了飽和區的問題，三極體工作在飽和區時Vce很小，有人說飽和區條件是發射結正偏，集電結也正偏，這很容易讓人誤解；發射結正偏導通沒問題，但 ...

#87. 以高性能SiC MOSFET設計電力電子

SiC MOS結構表明，在特定電場條件下，由於障壁(barrier)高度較小，相較於 ... 快開關，因此在發生飽和效應之前，4-pin元件的電流也會上升到更高的值。

#88. MOSFET基礎| 它的工作原理和4個重要的渠道效應 - Lambda ...

MOSFET 基礎知識特別是作為金屬氧化物矽晶體管參與晶體管技術. ... 在飽和區，隨著V的增加，高場的長度（被視為高場的ΔL）隨著源的增加而增加DS，其效果就像有效通道 ...

#89. 15個MOS器件的重要特性 - 雪花新闻

【答】MOSFET的線性區源-漏電導gdlin和飽和區的柵極跨導gmsat，都是表徵電壓對溝道導電、即對源-漏電流控制能力大小的性能參數。

#90. 震驚！UCLA電路大佬用的MOS模型竟然不是平方律而是... | IT人

而在類比電路中，需要適用於不同偏置條件，不同頻率的模型，對於亞微米 ... 推匯出了MOS管在飽和區（SaturationRegion）和三極體區（TriodeRegion）的 ...

#91. BSIM3v3 模型介紹與萃取方法

是描述MOS 元件的直流特性，因此無法直接預測高頻特性，因 ... (Subthreshold Region)、線性區(Linear Region) 以及飽和區 ... 圖19 參數萃取的邊界條件設定.

#92. 106. 在IC 的製程中MOSFET 和BJT 電晶體比較 - 題庫堂

在IC 的製程中MOSFET 和BJT 電晶體比較，下列那一個條件非MOSFET 所具有的優點？(A)輸入阻抗高(B)體積小(C)消耗 ... (A)順向主動區(B)飽和區(C)非飽和區(D)截止區。

#93. bjt 飽和區歡迎 - Dlouz

工作區，參數(β=IC/IB，MOSFET的飽和區操作模式，作用區)，CBJ 必須反向偏壓然而 ... 飽和區（Saturation region）以NPN電晶體為例子，但這兩個測試條件都是在6V ...

#94. mosfet 公式

2012-05-24 MOS管的漏極飽和電流公式中,Cox是什么3 2010-10-21 漏極電流什么意思？ 13 2009-07-12 PMOS處于飽和區的電壓條件？電流公式？ 8 2019-01-02 工作在飽和區 ...

#95. MOSFET理解與應用：Lec 6—放大器電路模型I - 海納網

4，其中，MOS管的柵極為訊號V_in的輸入端，MOS管的漏極作為訊號V_out輸出端；VCC為供電電源，作用是為了滿足V_DS>V_GS-V_TH這個飽和區工作條件；R_L的 ...

#96. MOS-阿摩線上測驗

N通道增強型MOSFET其臨界電壓( threshold voltage ) 為Vth，當VGS> Vth且VDS ≥ VGS － Vth 的條件下，其操作範圍為下列何區？ (A) 截止區 (B) 飽和區 (C) 歐姆區

#97. MOS能带图(精编) - 豆丁网

... 使得E Fn 飽和區（Saturationregion） DS漸增，靠近汲極附近DS圖的斜率漸減。 DS圖的斜率satDS GS GSsat DS 增強模式空乏模式MOSFET 理想條件閘極構造為理想MOS二 ...

#98. 電路是計算出來的 - ITW01

從輸入-輸出特性所表現的特性曲線可以看出，MOSFET在飽和區的不同點所對應 ... 例電流源負載的CS電路，放大管工作在飽和區條件下漏源電壓具有很大的 ...

#99. MOSFET工作原理詳解 - 範文筆記

電力mosfet工作在開關狀態，即在截止區和非飽和區之間來回轉換。 ... 因為只有在漏極n區下的橫向電阻流過足夠電流為這個n區建立正偏的條件時，寄生的 ...

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