關於 coolmos特性 ，我們在網路上蒐集到這些相關的討論、資訊與評價

#11. MOSFET|深圳市明和研翔科技有限公司

COOLMOS 的轉移特性如圖6所示。從圖6可以看到，當VGS＞8V時，COOLMOS的漏極電流不再增加，呈恒流狀態。特別是在 ...

#12. 集成快速体二极管的600V CoolMOS™ CFD7 适用于高功率SMPS

它是高功率SMPS 应用(如服务器/电信/ EV 充电站等) 中谐振拓扑结构的理想选择。 CoolMOS™ CFD7 特性. 超快速体二极管; 一流的反向恢复电荷(Qrr); 提高了反 ...

#13. Si CoolMOS和IGBT的特性对比及其在DAB变换器中的应用

碳化硅(Si C)半导体器件由于其宽禁带材料的优良特性受到了广泛关注。Si C半导体器件作为一种新型器件, ... 本文主要对比了Si C MOSFET、Si Cool MOS和IGBT的静态特性。

#14. 英飛凌針對靜態切換應用擴展600 V CoolMOS™ S7 系列 ...

因此，新裝置不僅符合最高品質標準，並擁有最佳性價比，同時注重傳導效能、能源效率、功率密度及改善熱阻等特性。 CoolMOS S7 10 mΩ 和CoolMOS S7A ...

#15. 切換式電源供應器：CoolMOS - DigiKey

Infineon Technologies 提供多種產品，包括用於各種PFC 及PWM 拓撲的高電壓MOSFET (CoolMOS™)、MOSFET 驅動IC (EiceDRIVER™)、控制IC 碳化矽二極體(thinQ!

#16. 最新消息News - 營格股份有限公司

IPS MOSFET:是由美國&HK背景集團投資的MOSFET公司.目前的技術核心是擁有25個美國專利權,FAIRCHILD,TI,IR, BACKGROUND的MOSFET技術專才組成.打造適用於國際企業.

#17. 功率MOSFET - 维基百科，自由的百科全书

4 切換特性. 4.1 電容. 4.1.1 閘極對源極電容; 4.1.2 閘極對汲極電容; 4.1.3 汲極對源極電容. 4.2 其他有關動態響應的元件. 4.2.1 包裝電感. 5 工作時的限制.

#18. 600V垂直式CoolMOS的設計 - 臺灣聯合大學博碩士論文系統

但Power MOSFET必須擁有高速切換速度及低功率損失的特性，因此傳統的VDMOSFET在600V以上的應用時， ... 論文名稱(外文):, The Design of 600V Vertical CoolMOS.

#19. Infineon英飞凌CoolMOS™系列功率MOSFET - e络盟

C7 主要特性 · 安全裕度改进；适用于SMPS和太阳能逆变器应用 · 最低的通态损耗/封装 · 低开关损耗 · 改进的轻载能效 ...

#20. 650v超级结超低内阻MOSFET（CoolMOS 7n65） - 流明芯

超級結超低內阻COOLMOS,650v超级结超低内阻MOSFET（CoolMOS 7n65）,Lumenchip,COOLMOS-7N65,7N65-COOLMOS,COOLMOS,Super-Junction Power MOSFETTO-220,TO-220F,TO-251 ...

#21. 英飛凌擴展靜態切換應用MOSFET產品 - 新通訊

因此，新裝置不僅符合最高品質標準，並擁有最佳性價比，同時注重傳導效能、能源效率、功率密度及改善熱阻等特性。 CoolMOS S7 10 mΩ 和CoolMOS S7A ...

#22. 電源設計新時代— 英飛凌CoolSiC™ 實現高效率電源供應系統

Avnet, Infineon · 電源供應市場需求變革 · 第三代寬能隙半導體(Wide Band Gap) 發展趨勢 · CoolSiC™ vs CoolMOS™ vs CoolGaN™ 特性分析與應用策略 · 英飛凌 ...

#23. 什么是CoolMOS™ MOSFET CFD7？-电子发烧友网

CoolMOS CFD7 特性. 超快速体二极管. 一流的反向恢复电荷(Qrr). 提高了反向二极管dv / dt 和dif / dt 的耐久性. 一流的硬换向稳健性.

#24. 如何将CoolMOS应用于连续导通模式的图腾柱功率因数校正电路

因为半导体设计趋势仍在降低开关损耗以提升产品功率密度，即降低在开关切换过程中V-I 交越的损耗，常见半导体厂商的做法为将开关等效输出电容（Coss）特性 ...

#25. CoolMOS™ CE - ICBase

CoolMOS ™ CE是英飞凌市场领先的高压功率MOSFET的技术平台，根据超结原理(SJ)设 ... 特性. „▫ 集成的Rg，良好的可控性. „▫ 低功率充电器. „▫ 适配器.

#26. CN101989552A - CoolMOS的纵向区的制造方法

本发明将CoolMOS的纵向区由传统的单晶硅变为一段单晶硅与一段多晶硅相接，利用多晶硅良好的填孔特性，改善了现有工艺中纵向区容易出现空洞的问题。

#27. 搞懂第三代半導體與前兩代的差異關鍵 - TechNews 科技新報

... 低耗電等特性，整個半導體產業因而進入了以這兩種材料為主的第二代半導體 ... 英飛凌旗下CoolMOS（矽MOSFET 電晶體）、CoolSiC（碳化矽MOSFET 電 ...

#28. Coolmos优势-Coolmos参数特性-竟业电子 - 场效应管

与普通MOS管相比RDS（ON）只有普通MOS管一半，用Cool-Mos可以降低损耗， ... 同等功率规格下封装小，有利于功率密度的提高,Coolmos参数特性MOS参数BV ...

#29. 品佳電子報-第940118期產品櫥窗

CoolMOS 功率金屬氧化層半導體場效電晶體（MOSFET），與新型的脈衝寬度調 ... 低耗電量的特性之外， CoolSET F3系列產品還提供一種新型的「可調整式的刪除 ...

#30. 种采用coolMOS管的大功率电子镇流器

关键词coolMOS 大功率节能灯电子镇流器非预热式电子镇流器的自检方法 ... 着广泛的应用，普通MOS管和coolMOS管的特性对. 比见表1。

#31. 器件关键参数对比 - Vicor

CoolMOS C6. CoolMOS C7 ... 低压MOSFET技术演变及特性. ©2019 Vicor. 26. SGT - Shielded Gate Trench ... GaN HEMTs. SJ MOSFET和SiC MOSFET(SCT2120AF)开关特性对比 ...

#32. SiC MOSFET,Si CoolMOS和IGBT的特性对比及其在DAB变换器 ...

本文主要对比了SiC MOSFET,Si CoolMOS和IGBT的静态特性.并搭建了基于Buck变换器的测试平台,测试条件为输入电压为400V,电流为4~10A,对比了三种器件的开关波形,开关时间,开关 ...

#33. 電力電子系列～功率半導體元件特性解析及應用實務- 課程總覽

l CoolMOS. lWBG MOSFET. 4. 絕緣柵雙極電晶體 (IGBT). l Semiconductor Structure. lEquivalent Circuit. l WBG IGBT? 5.功率開關驅動電路解析. l BJT Drivers.

#34. Infineon 推出SOT-223 封裝CoolMOS™ P7 , 符合成本效益的 ...

此封裝版本CoolMOS P7 的散熱特性已於多項應用中進行評估。SOT-223 置於DPAK 基底面時，溫度最多比標準型DPAK 增加2 至3°C，當銅面積達到20 mm 2 以上， ...

#35. 英飛凌推出800V和950V AC-DC整合式功率級產品 - 奇摩股市

... 單一封裝內整合了PWM控制器IC和最新的高壓CoolMOS P7超接面（SJ）MOSFET。 ... 完善的保護功能再加上超接面MOSFET的高擊穿電壓特性，進一步提高了 ...

#36. 國 立 交 通 大 學 電子工程學系 電子研究所碩士班

CoolMOS. TM 一些操作特性，例如，在低汲極電壓時快速 saturation 的發生與在高 ... Quasi-saturation occurring in the CoolMOS are also explanted by 2D physical.

#37. 适用于超高功率密度充电器、旅行适配器和低功率电机驱动器的 ...

此应用说明描述了600 V CoolMOS™ PFD7 的特性，这是英飞凌面向消费市场的最新HV SJ MOSFET 技术，具有显著提高目标应用效率和易用性的特点。

#38. 新型高壓MOSFET用於高效率的低功率和高功率應用

結合這些特性，該器件成為實現服務器，電信，工業和太陽能應用中最高效率和基準功率密度的完美選擇。 可用性. 600 V CoolMOS P7和600 V CoolMOS C7 Gold系列都有大批量 ...

#39. 【电源专栏】在开关电源转换器设计中充分发挥SiC MOSFET的 ...

这就要求设计人员需要花时间充分了解碳化硅MOSFET的特性和功能，并考虑如何向新拓扑架构 ... 例如，碳化硅CoolSiC器件的体二极管正向电压(VF)是硅CoolMOS器件的四倍。

#40. 英飛凌推出950 V CoolMOS PFD7系列大幅提高功率密度

英飛凌推出全新CoolMOS PFD7高壓MOSFET系列，為950 V超接面（SJ）技術樹立新標竿。 ... 元太發表新世代可變色電子紙薄膜具備色彩動態變換特性.

#41. Infineon「超接面製程」為銜接GaN、SiC 材料作緩衝

特性 ，適合1200V 以上的高壓應. 用，如：汽車和太陽能。事實上，. 英飛凌於2015 年併購美國國際整. 流器公司(IR) 後，不但進一步擴. 圖1：英飛凌CoolMOS 系列產品定位 ...

#42. 萨科微运算放大器的温度特性

萨科微Slkor运算放大器有着怎样的温度特性呢？大家都知道工作温度范围是指可维持IC ... IC的特性会因温度的不同而发生变动。 ... COOLMOS管SL11N65CF.

#43. 英飞凌IGBT 技术和产品概述及其应用领域 - 碳化硅

HighSpeed3 特性. 芯片面积只有CoolMOS的28%. 功率密度高. 芯片和模块成本低. 在高温在拖尾电流也很小. 关断特性接近于CoolMOS，Eoff是IGBT3的40%, ...

#44. Infineon CoolMOS? P7提高电源效率性能评比- 手机21IC电子网

本文将基于新一代CoolMOS? P7在各个细分市场的应用，并测试比较其性能相较于前几代CoolMOS?系列的提升和改善之处。 CoolMOS? P7特性介绍.

#45. SiC MOS的开关速度比Si快？错！ - 知乎专栏

同时也可看到，在650V电压等级下，SiC MOS和Si CoolMOS存在重合竞争 ... 将两款产品的转移特性画在一张图上，且把25℃和125℃的数据均标示出，如下。

#46. CN102142459A - CoolMOS结构- Google Patents

本发明公开了一种CoolMOS结构，用以提高击穿电压，其中所述为该CoolMOS的制作结构 ... [0003] VDMOS器件在低压应用领域，可以得到较理想的导通电阻和开关特性，但是随 ...

#47. 所謂SiC-MOSFET－與Si-MOSFET的區別| ROHM TECH WEB

SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，由於漂移層電阻低，頻道電阻高，因此具有驅動電壓即閘極－源極間電壓Vgs越高導通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的 ...

#48. PW2【電子通信】電力電子學電路、器件及應用(原書第4版)

... 引言2.2半導體基礎2.3二極管特性2.4反向恢復特性2.5功率二極管的種類2.6碳化硅 ... 第4章功率晶體管4.1引言4.2碳化硅晶體管4.3電力MOSFET 4.4COOLMOS 4.5JFET 4.6 ...

#49. MOS管初级入门详解|深圳市立业微电子有限公司 - LCD驱动电路

3.2.3开关特性的改善。COOLMOS的栅极电荷与开关参数均优于常规MOSFET，很明显，由于QG，特别是QGD的减少，使COOLMOS的开关 ...

#50. 如何将CoolMOS应用于连续导通模式的图腾柱功率因数校正电路

针对半桥的应用，两颗特性相同MOSFET 桥接后的出电容特性如下图2。 在半桥应用普遍重视零电压切换，因为MOSFET总输出电容的储能损耗(Qoss)与反向恢复特性 ...

#51. 高压超级结GreenMOS系列-苏州东微半导体股份有限公司

E系列产品综合了Generic系列产品和S系列产品的特性，达到了开关速度和EMI的平衡，特别适用于TV电源、工业电源等领域。 Z系列(快恢复), Z系列产品中集成了快恢复体二极管（ ...

#52. 干货｜MOSFET结构及其工作原理详解 - 腾讯

.2.3 开关特性的改善。 COOLMOS的栅极电荷与开关参数均优于常规MOSFET，很明显，由于QG，特别是QGD的减少，使COOLMOS的开关时间约 ...

#53. CoolMOS器件低开关损耗驱动芯片的研究与设计

本文在深入分析CoolMOS器件开关特性的基础上,提出了一种可编程开环动态驱动电路.此方案将功率开关器件开关过程分为时长为2.5ns的八个粗调周期,在每粗调周期, ...

#54. 如何将CoolMOS应用于连续导通模式的图腾柱功率因数校正电路

此评估板实现了本文中介绍的预充电电路并使用600 V CoolMOS CFD7来实现CCM Totem pole PFC，其寄生二极管特性为低反向恢复电荷，在极端条件下硬开关 ...

#55. 如何不變更設計，快速降低MOSFET的導通阻抗RDS(on)

... 低輸入阻抗與低功率耗損之特性，不僅可承受大電流、亦可提高電路轉換效率， ... 也都開發出不同型式的低導通阻抗MOSFET，例如英飛凌(Infenion)的CoolMOS利用多層磊 ...

#56. 超详细的MOSFET知识（结构、工作原理、基本特性等） - 与非网

漏极电流ID 和栅源间电压UGS 的关系称为MOSFET 的转移特性，ID 较大时，ID ... COOLMOS 的SCSOA 的获得主要是由于转移特性的变化和管芯热阻降低。

#57. SiC MOSFET与Si器件的动静态特性对比

此外，Si CoolMOS的导通电阻与Si IGBT的导通压降始终为正温度系数，而SiC MOSFET的导通电阻与温度的关系更为复杂，从负温度开始先是负相关然后呈正相关， ...

#58. MOSFET的内部结构、MOS管工作原理详解- 电路城

.2.3 开关特性的改善。 COOLMOS的栅极电荷与开关参数均优于常规MOSFET，很明显，由于QG，特别是QGD的减少，使COOLMOS的 ...

#59. COOLMOS-Super Junction MOS-超结MOS-英飞凌

COOLMOS 系统应用可能会出现的问题 1、EMI可能超标。 由于SJ-MOS拥有较小的寄生电容，造就了超级结MOSFET具有极快的开关特性。因为这种快速开关特性伴 ...

#60. Infineon ICLS8082G带PFC和调光的离线LED控制方案

Infineon公司的ICLS8082G是集成了800 V CoolMOS? ... 主要特性,方框图,典型应用电路以及评估板EVAL-LED-ICLS8082G-B2主要特性和指标,电路图,材料清单, ...

#61. 内建横向电场MOSFET的主要特性 - 电子元器件资讯

由于COOLMOS管芯厚度仅为常规MOSFET的1/3，使TO-220封装RT HJC从常规1℃/W降到0.6℃/W；额定功率从125W上升到208W，使管芯散热能力提高。 2. 开关特性的 ...

#62. 英飞凌进一步壮大其CoolMOS产品阵营 - 中电网

P6产品的优越特性与经实践检验的CoolMOS品质和可靠性的结合，进一步巩固了英飞凌在功率转换技术领域的领先地位。” 得益于其 ...

#63. 英飞凌推出最新600V P6产品系列， 进一步壮大其市场领先的 ...

此外，得益于其细化的产品组合，CoolMOS™P6产品系列的性价比在当前市场 ... P6产品的优越特性与经实践检验的CoolMOS™品质和可靠性的结合，进一步巩固 ...

#64. 英飛凌推出新款雙通道隔離閘極驅動器IC 系列產品 - 嵩森科技

EiceDRIVER 系列提供領先業界的精準時序特性，輸入到輸出傳播延遲精度為7ns，通道至 ... 英飛凌CoolMOS™ 與OptiMOS™ 功率MOSFET 的整體切換效率也可以 ...

#65. 英飞凌第五代CoolMOS MOSFET（C6彰显其在电源管理市场的 ...

与此同时，开关控制性能和抗电路板寄生电感和电容特性性能也得到大幅提升。相对于CP系列的设计而言，CoolMOS C6简化了pcb系统布局。具体而言，这意味着在CoolMOS C6 ...

#66. 英飞凌推出新型950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件 - 搜狐

950 V CoolMOS P7的特性包括出色的DPAK导通电阻，能实现更高密度的设计。此外，出色的VGS(th)和最低VGS(th)容差使该MOSFET器件易于驱动和设计。

#67. COOLMOS与普通VDMOS的差异及应用建议 - 大功率电感厂家

在帖子里看到不少关于COOLMOS的介绍，我也为. ... 由于SJ-MOS拥有较小的寄生电容，造就了超级结MOSFET具有极快的开关特性。因为这种快速开关特性伴有 ...

#68. 客製化矽晶圓服務，以客為本的半導體材料供應商 - 合晶科技

... 晶圓、研磨晶圓、蝕刻晶圓、超薄晶圓及SOI晶圓，並針對不同應用的元件特性，以 ... power MOSFET, BJT, diode, thyristor, IGBT, CoolMOS, superjunction and more.

#69. [新品] 内置高压CoolMOS驱动(PT4240) - 新能源网

内置高压CoolMOS驱动PT4240,深圳市鑫宝宏电子有限公司,联系电话：13670037219。 ... 优异的线电压调整率和负载调整率; 优异的电流温度补偿特性; LED短路/开路保护 ...

#70. 产品规格功能特性产品概述应用领域

功能特性. 产品概述. ○ 支持CCM/QR 混合模式；. ○ 内置700V 高压启动；. ○ 集成X-CAP 放电功能； ... 驱动技术，易于搭配超结MOSFET（CoolMOS）改善.

#71. igbt与mosfet的工作原理+区别+封装的减小和热阻的降低+开关 ...

COOLMOS 的SCSOA的获得主要是由于转移特性的变化和管芯热阻降低。 ... 相同额定电流的COOLMOS的管芯较常规MOSFET减小到1/3和1/4，使封装减小两个管壳 ...

#72. 英飞凌推出集成快速体二极管的650V MOSFET - EETOP

英飞凌位于奥地利菲拉赫工厂生产的第35亿颗CoolMOS™ 高压MOSFET顺利下线 ... 较软的换向性能带来更出色的抗电磁干扰特性，从而使该器件竞争力首屈一指 ...

#73. 寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响 - 南京航空航天大学学报

近些年，国内外诸多学者针对电路寄生电感对SiC器件开关特性的影响进行了研究，归纳其研究 ... Performance comparison of SiC MOSFET, Si CoolMOS, and IGBT for DAB ...

#74. 如何不變更設計，快速降低MOSFET的導通阻抗RDS (on)

... 阻抗與低功率耗損之特性，不僅可承受大電流、亦可提高電路轉換效率。 ... 型式的低導通阻抗MOSFET，例如英飛凌(Infenion)的CoolMOS利用多層磊晶 ...

#75. 英飛凌推出800V和950V AC-DC整合式功率級產品 - 旺得富理財網

... 單一封裝內整合了PWM控制器IC和最新的高壓CoolMOS P7超接面（SJ）MOSFET。 ... 完善的保護功能再加上超接面MOSFET的高擊穿電壓特性，進一步提高了 ...

#76. ​​​英飛凌高壓MOSFET上市​ - Wa-People 產業人物

英飛凌科技CoolMOS™ 技術產品系列推出新產品，包括600 V CoolMOS™ P7 ... 綜合上述特性，使本產品極適合應用於伺服器、電信、工業與太陽能等需求最高 ...

#77. 【选型】ROHM 低噪声高速开关超级结MOS - 世强

罗姆有低噪声和高速开关两类产品，可替换市面主流coolMOS，可以根据客户的 ... 系列的内部MOSFET结构，极大地改善了影响开关速度的GateCharge特性。

#78. 在商业代工厂制造的600V 4H-SiC MOSFET 将栅极氧化层厚度 ...

... 沟道4H-SiC 功率MOSFET 的测量电气特性与27 nm 栅极氧化物厚度进行了比较， ... 的高频品质因数(HF-FOM) 首次超过了市售的600 V P7 Si CoolMOS 产品。

#79. 市场新标杆英飞凌推最新600V P6产品系列 - 新浪汽车

P6产品的优越特性与经实践检验的CoolMOS™品质和可靠性的结合，进一步巩固了英飞凌在功率转换技术领域的领先地位。” 得益于其 ...

#80. 将碳化硅器件用于开关电源转换器？这些要注意

与CoolMOS™驱动设计相同，CoolSiC™ MOSFET 也可以使用EiceDRIVER™驱动集成电路。但是应注意的是，由于传输特性的差异（ID 与VGS），CoolSiC™器件的栅极 ...

#81. 高压mos管在进行并联操作时应注意哪些事项

龙腾| CoolMOS · Semihow | CoolMOS · 维安| CoolMOS ... 大因此，原理上n通道功率型mos管的饱和压降VDs和导通电阻RDSon具有正的温度特性，适合并联。

#82. 英飞凌CIPOS™ Mini IPM助力低功率电机驱动系统提高效率

它们是率先集成CoolMOS™ MOSFET的高效IPM（智能功率模块），具备出色电子性能。 ... 欠压锁定（UVLO）及过流保护（OCP）特性可进一步增强系统可靠性。

#83. 美高森美的专利SiC MOSFET技术特性

COOLMOS. 800V COOLMOS600V COOLMOS · IGBT POWER MODULES ... 您现在的位置：首页 > 技术 > 美高森美的专利SiC MOSFET技术特性. 技术.

#84. 半桥谐振LLC+CoolMOS开关管！ - 贸泽工程师社区

提升开关电源效率和可靠性的黄金搭档：半桥谐振LLC+CoolMOS开关管！ cathy -- 周二, 01/30/2018 - 11: ...

#85. 功率场效应晶体管MOSFET_lwjun的博客

3.2.3 开关特性的改善。COOLMOS的栅极电荷与开关参数均优于常规MOSFET，很明显，由于QG，特别是QGD的减少，使COOLMOS的开关时间约为常规MOSFET的1/2； ...

#86. 什么是功率MOSFET？ - 深圳市心诺微电子有限公司

MOSFET 的开关延迟特性完全是因为寄生电容的充电和放电。 ... 表1封装与电流、电压额定值由于COOLMOS 管芯厚度仅为常规MOSFET 的1/3，使TO-220 封装RTHJC 从常规1℃/W ...

#87. 英飞凌拓展CoolMOS技术产品阵容 - 汽车制动网

英飞凌科技股份公司（FSE: IFX OTCQX: IFNNY）壮大现有的CoolMOS技术产品 ... 所有这些特性，使该器件成为服务器、电信、工业和太阳能等应用领域实现 ...

#88. 英飛凌推出800V和950V AC-DC整合式功率級產品 - 工商時報

... 單一封裝內整合了PWM控制器IC和最新的高壓CoolMOS P7超接面（SJ）MOSFET。 ... 完善的保護功能再加上超接面MOSFET的高擊穿電壓特性，進一步提高了 ...

#89. 深耕有成英飛凌動能全世界 - C4IT News Channel

為因應日益嚴苛的節能規範，英飛凌近期發佈了最新一代CoolMOS™ C6功率電晶體，以及 ... 新元件所具備的「自我限制」特性可避免快速變化的電流di/dt與 ...

#90. Cool-MOS的优势及存在的一些问题！--来自电源联盟的文章

对于COOLMOS 结构，由于设置了相对P body 浓度低一些的P region 区域， ... 因为这种快速开关特性伴有极高的dv/dt 和di/dt，会通过器件和印刷电路板中 ...

#91. 融资丨「芯长征」完成数亿元D轮融资，国寿股权公司领投

... 封装制造为一体的高新技术科技企业，核心业务包括：IGBT、coolmos、Si. ... 特性，同时更具性价比优势，也兼具第四代产品的高可靠高鲁棒性特点。

#92. 18C.MIC天堂传送门

... 特性，同时更具性价比优势，也兼具第四代产品的高可靠高鲁棒性特点。 ... 制造为一体的高新技术科技企业，核心业务包括：IGBT、coolmos、SiC等 ...

#93. COOLMOS Power MOSFET

COOLMOS is a trademark of. Infineon Technologies AG. Preliminary data. Page 2. © 2008 IXYS All rights reserved. 2 ...

#94. 新電子 03月號/2019 第396期 - 第 70 頁 - Google 圖書結果

圖5 額定電壓600伏特GaN HEMT和額定電壓650伏特CoolMOS的反向電壓與漏汲極電流荷降低功率 ... 從CoolMOS的8uJ到CoolGaN的 6uJ,其原因是CoolMOS的非線性輸出電荷特性, ...

#95. 新通訊 05月號/2021 第243期 - 第 85 頁 - Google 圖書結果

... 必須符合幾個關鍵特性:包括置,分別是工業級CoolMOS S7 10mΩ 以及車規級 CoolMOS S7A。減少導通損耗、提供最佳熱行為,實現小體積輕量化系 CoolMOS S7 10mΩ具有較小 ...

#96. 新電子 12月號/2019 第405期 - 第 62 頁 - Google 圖書結果

雖然CoolSiC和 CoolGaN的Vf較CoolMOS高,但其相對所需死區時間較少,所以對於Vf在死區時間內的損耗影響不大。整體來看,CoolGaN在這些品質因數的比較中都有較佳的特性, ...

#97. 新通訊 01月號/2018 第203期 - 第 101 頁 - Google 圖書結果

全新元件的主要特性包括可搭載MachXO3-9400E元件(1.2V核心電壓), ... 近日發表新款高電壓超接面(SJ) MOSFET技術產品 600V CoolMOS CFD7,讓CoolMOS 7系列更為完備。

#98. 新電子：2022年版嵌入式系統設計解密 - 第 76 頁 - Google 圖書結果

嵌入式系統設計解密·圖4 比較不同VDS的CoolMOS及多項CoolSiC裝置的Coss ·圖4 比較不同VDS的CoolMOS及多項CoolSiC ... 不過請務必瞭解SiC與Si MOSFET的特性截然不同。