半導體功率開關元件在並聯的應用上需要注意相關的影響因素；在多年發展與經驗的累積下，使用者已經對於矽功率開關元件相當熟悉，但是新的寬能隙元件──氮化鎵功率開關元件(GaN HEMT)──尚在初始研究開發狀態，有別於傳統矽功率開關元件，在並聯上存在更多需要注意的事項。
https://www.eettaiwan.com/20200818ta71-parallel-simulation-analysis-of-gan-power-device/
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