關於 pecvd原理 ，我們在網路上蒐集到這些相關的討論、資訊與評價

#11. pecvd 原理

1.PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）的概念及其原理：利用強電場或磁場使所需的氣體源分子電離產生等離子體，等離子體中含有很多活性很高的化學基團這些 ...

#12. PECVD原理 - 北京赛德凯斯电子有限责任公司–专注于产品研发 ...

PECVD ：是借助微波或射频（作为能量源）等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。

#13. 晶圓的處理－薄膜

APCVD （常壓CVD，. （常壓 atmospheric pressure CVD）. • LPCVD（低壓CVD，low press re CVD） pressure CVD）. • PECVD（電漿加強CVD， plasma enhanced CVD）.

#14. SD1_電漿化學氣相沉積M2U00069 - YouTube

#15. PECVD 的原理与分析 - 百度文库

2PECVD 设备的基本结构2.1PECVD 工艺的基本原理PECVD 技术是在低气压下，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上（即样品放置的托盘）产生辉光放电，利用 ...

#16. LPCVD與PECVD技術差異說明 - 磊诺（佛山）科技有限公司

若考慮CVD 的能量來源及所使用的反應氣體種類，我們也可以將CVD反應器進一步劃分為PECVD和LPCVD。 1.png. 1.2 薄膜沉積原理[3]. 晶片上的薄膜之所以能夠生成，主要是 ...

#17. pecvd 原理– 電漿鍍膜– Apasa

直接式PECVD 原理图间接式, 基片不接触激发电极（如2,45GHz 微波激发等离子） 间接式PECVD 原理图PECVD 设备的优点PECVD 的一个基本特征是实现了薄膜沉积工艺的低温 ...

#18. 太陽電池鍍膜設備概要

電漿化學氣相沉積設備(PECVD)- industry ... PECVD ). • PECVD包含二種主架構: • (1)CCP (capacitive coupled plasma) ... 物理氣相沈積-濺鍍(sputter)原理.

#19. 中華大學碩士論文

Chemical Vapor Deposition, PECVD)，製作矽薄膜太陽能電池本質層(Thin film ... PECVD 的沉積原理，與一般的CVD 之間並沒有太大的差異。電漿.

#20. 化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition) - PDF4PRO

CVD 原理. ◇反應氣體從反應器的主氣流裏，藉著反應氣體在主氣流及晶片. 表面間的濃度差，以擴散的方式， ... ◇PECVD利用電漿來幫助化學沉積反應的進行，並降低反應.

#21. PECVD 化學氣相沉積 - Hakuto 伯東國際通商

適用於200mm 晶圓製造以及Ⅲ-Ⅴ族晶圓制程，可沉積製造薄膜包括氮化矽(SiNX)和氮化矽氧化矽(SiO2) 碳化矽(SiC) 等高品質薄膜沉積。 本公司推出的PECVD 是一部單腔制程的電 ...

#22. CN104299894A - 一种pecvd低温镀膜工艺研究- Google Patents

本研究公开了一种中国电子科技集团第四十八研究所PECVD一种低温氮化硅薄膜的工艺，属于半导体制造领域。该工艺包括(1)研究内容、(2)PECVD法生产氮化硅膜的原理、(3)氮 ...

#23. 電漿輔助化學氣相沈積鍍膜（Plasma Enhanced CVD, PECVD ...

表五、Thermal CVD 與PECVD 鍍SiO2 膜性質比較2.反應性濺鍍(Reactive Sputtering)濺鍍系統的原理是利用電漿中的離子，一般是氬原子，經電場加速撞擊濺鍍靶材打出其表面 ...

#24. 製程原理

製程原理. 低溫真空二氧化矽爐內面塗是藉由電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)，對矽烷類單體(monomer)進行解離與聚合，形成緻密的籠狀(cage-like)二氧化矽薄膜，以奈米級的 ...

#25. 感應耦合電漿化學氣相沉積設備 - 矽碁科技股份有限公司

與PECVD方法相比，ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不會降低薄膜質量。 ... PECVD的原理為，在於兩個電極板之間施加一個電壓，此電壓會將位於兩個電極板之間的 ...

#26. 半導體製程技術 - 聯合大學

電漿增強型化學氣相沉積(PECVD). ▫ 發展氮化矽取代二氧化矽做為鈍化氧化層. ▫ 相對低溫下有高的沉積速率. ▫ 射頻在沉積氣體中感應電漿場.

#27. 成功大學電子學位論文服務

一般傳統的PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 無法滿足高深寬比的填洞能力(gap ... 3-1-1 沉積中的自發電漿薄膜去除原理說明……………………………………………21

#28. 博碩士論文行動網

本論文主要是研究以TEOS及矽甲烷(SiH4)為主之PECVD二氧化矽薄膜之熱機械行為。 ... 且根據最小勢能原理來發展力學模型，定量分析及預測熱處理後二氧化矽薄膜之行為。

#29. PECVD原理 - 360doc个人图书馆

图1为管式PECVD的原理图。工艺气体通过流量控制器进入炉管，真空泵用来调节气压，化学气体在加热器及等离子体的作用下于硅片表面形成SIN层。

#30. 化學氣相沉積與介電質薄膜

PECVD Si(OC2H5)4 (TEOS), O2 ... 常壓化學氣相沉積（APCVD）. • 低壓化學氣相沉積（LPCVD）. • 電漿增強型化學氣相沉積（PECVD） ... PECVD 鈍化作用的介電質沉積.

#31. 電漿化學氣相沉積(PECVD) | Ansforce

電漿化學氣相沉積(PECVD)在成長薄膜的過程中有化學反應發生，屬於「化學氣相沉積(CVD)」，由於只需要高真空，而且蒸鍍的金屬可以大量快速地在基板上沉積，成本較低適合 ...

#32. 半導體真空系統應用四、熱及電子槍蒸鍍技術五

五、濺鍍原理與技術應用. 六、CVD、PECVD、LPCVD原理. 七、薄膜特性量測. 3. 一、緒論. (一)前言: 1. 薄膜與厚膜之區分: 薄膜:厚度在5µm左右以下.

#33. 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术基础

由于PECVD技术是通过应气体放电来制备薄膜的，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本 ... PECVD原理--等离子体增强化学气相沉积技术基础.pdf.

#34. 電漿輔助化學氣相沉積

電漿輔助化學氣相沉積. （PECVD：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition） ... RF PECVD、DC Sputtering(附加蒸鍍系統)、Microwave PECVD與RF Sputtering.

#35. 人才培訓網

課程名稱: 【科管局補助】薄膜製程原理. 課程內容: 1.薄膜沈積原理2. ... 物理氣相沈積原理(包含各種蒸鍍與濺鍍) 4.LPCVD、PECVD、CVD原理等5.ALD原子層沉積的設備原理 ...

#36. PECVD工作原理_三人行教育网_www.3rxing.org

回答作者：我的劫-我的劫. 采纳时间：2021-07-17 17:24. pecvd原理_PECVD工作原理. 真空下，加上射频或微波电场，使反应室气体发生辉光放电产生大量电子，在电场作用下 ...

#37. 适合您PECVD 和SACVD 应用的真空解决方案！

PECVD, SACVD. CVD，亦即化学气相沉积，是一种薄膜沉积技术，通过将基材暴露于一种或多种在表面上反应和/或分解的挥发性前体实现。等离子体（用于PECVD）或温度（用 ...

#38. PECVD原理- 电子发烧友网

电子发烧友为您提供的PECVD原理，PECVD原理PECVD作用：在硅片表面镀上一层深蓝色的氮化硅膜，可以充分吸收太阳光，降低反射，并且氮化硅膜有钝化的 ...

#39. 太阳能电池片(镀膜)PECVD石墨舟原理

一、PECVD原理. PECVD 系统是一组利用石墨舟和高频等离子激发器的系列发生器。在低压和升温的情况下，等离子发生器直接装在镀膜板中间发生反应。

#40. PECVD，从原理讲起_摩尔 - 手机搜狐网

原标题：PECVD，从原理讲起. 主要内容. 展开全文. 文章来源：摩尔光伏返回搜狐，查看更多. 责任编辑：. 声明：该文观点仅代表作者本人，搜狐号系信息 ...

#41. PECVD工作原理 - 最佳呆

PECVD 工作原理. 情感心理 2020-11-10 18:33:00. 最佳答案. 工作原理：辉光放电等离子体中电子密度高，电子气温度比普通气体分子温度高出10-100倍，反应气体在辉光放电 ...

#42. Y1D32—LPCVD与PECVD氮化硅波导 - 知乎专栏

3、PECVD：等离子增强CVD，沉积温度200 ~ 400℃. LPCVD. LPCVD基本原理：. LPCVD是低压化学气相沉积(low-pressure chemical vapor deposition)的缩写，低压主要是相对于 ...

#43. 國立交通大學100 學年度碩士班考試入學試題

簡述PECVD 機器原理構造，若以PECVD 成長SiN 薄膜，所用氣體為何(試列其反應式)？在成長. PECVD SiN 薄膜，其製程及機器操作、維修，需注意哪些工安問題？

#44. CN104299894A - 一种pecvd低温镀膜工艺研究

本研究公开了一种中国电子科技集团第四十八研究所PECVD一种低温氮化硅薄膜的工艺，属于半导体制造领域。该工艺包括(1)研究内容、(2)PECVD法生产氮化硅膜的原理、(3)氮 ...

#45. 太阳能电池片科普系列——(镀膜)PECVD篇

一、PECVD原理 · 二、Si3N4 · Si3N4 · 三、 · 表面发白色差片白斑 · 连载文章欢迎查看更多太阳能电池片科普系列： · 原创：北极星（每天不定量更新）.

#46. 等离子化学气相沉积技术(PECVD)的原理和技术关键 - 南京大学 ...

一、等离子体化学气相沉积技术的内容及关键等离子体化学气相沉积技术原理是利用低温等离子体(非平衡等离子体)作能量源,工件置于低气压下辉光放电的 ...

#47. 與濺鍍製程技術原理 - 南部科學園區產學協會

薄膜製程方法(PECVD和Sputter methods)的設計理論及其靶材的選擇(含實作). 課程班次. E03. 課程大綱. 1.透明導電層與靶材的關係. 2.透明導電層對太陽電池的影響.

#48. 電漿輔助化學氣相沈積鍍膜（Plasma Enhanced CVD ... - 隨意窩

製程基本上同P-SiN，進料換成SiH4+N2O，其與傳統薄膜比較如下：. 表五、Thermal CVD 與PECVD 鍍SiO2 膜性質比較2.反應性濺鍍(Reactive Sputtering)濺鍍系統的原理 ...

#49. 「pecvd設備架構」+1 - 藥師+

台做實際的鍍膜 ...,对于目前广泛采用的PECVD设备架构，如采用单室沉禾只. ... PECVD原理及设备结构- PECVD的原理及设备结构PECVD的原理及设备结构PECVD的原理PECVD的 ...

#50. pecvd電漿arcing之改善研究知識摘要 - 紅頁工商名錄大全

pecvd 電漿arcing之改善研究知識摘要】免費登錄台灣地區的公司資料,工商指南, ... 電漿源原理與應用之介紹- 中華民國物理學會The Physical Society of Republic of ...

#51. PECVD電漿Arcing之改善研究 - 9lib TW

論文中將研究Plasma Arcing 發生的主因及改善方法，討論PECVD RF 之作用原理，Heater Top Plate 受電漿蝕刻離子轟擊,導致陽極膜破損進而導致Plasma Arcing 的作用原理 ...

#52. pecvd設備 - 藥師家

「pecvd設備」+1。電漿加強式化學氣相沉積（PECVD）設備是針對沉積絕緣和鈍化膜而設計的。它被用於半導體和矽器件的製造上。莎姆克的PECVD設備可沉積高質量的矽系 ...

#53. PECVD:原理_价格_参数 - 分析测试百科网

分析测试百科网仪器谱, 提供PECVD(NRP4000 NPE4000)的详细介绍，包括仕嘉科技(北京)有限公司PECVD的参数指标、价格、原理和使用方法，也包含一些操作规程和使用技巧。

#54. sacvd原理 - 軟體兄弟

PECVD. HDP. Boundary layer. ,【sacvd製程原理知識摘要】免費登錄台灣地區的公司 ... 外包,買賣等生活資訊_上台灣大紅頁網,上網就紅。 ,APCVD, SACVD, LPCVD, PECVD, ...

#55. 乾貨｜太陽能電池片科普系列（鍍膜）PECVD篇！ - 壹讀

PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等離子增強化學氣相沉積， ... 乾貨｜太陽能電池片科普系列（鍍膜）PECVD篇！ ... 一、PECVD原理.

#56. 電漿增強型化學氣相沉積製程下具低介電常數氟矽玻璃銅導線之 ...

... 薄膜沉積原理並搭配低介電材料FSG進而增加良率與降低RC-Delay時間，通常使用介電材料可使用HDP-CVD與PECVD兩種而使用PECVD沉積法是因為它具備了以下幾種優點： 1.

#57. 常见的四个PECVD种类介绍 - 态锐仪器

本文简要介绍了PECVD工艺的种类、设备结构及其工艺原理，根据多年对设备维护的经验，介绍了等离子增强型化学气相淀积（PECVD）设备的基本结构，总结了这类 ...

#58. 實驗項目

... 經由真空蒸鍍金屬薄膜使學生瞭解真空蒸鍍(evaporation) 的基本原理，以及真空蒸 ... 電漿的基本原理及其在半導體製程方面的應用，電漿輔助化學氣相沉積 (PECVD) 的 ...

#59. PECVD原理简介 - 爱问共享资料

PECVD原理 简介PECVD单字面意思为等离子P增强E化学气相淀积CVD反应气体在设备射频RF作用下转变成等离子体从而进行化学反应生成需要的膜材料相对来说 ...

#60. PVD和CVD无机薄膜沉积方式大全，一定有你不知道的.....

PECVD (原理) 是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体, 而等离子体化学活性很强, 很容易发生反应,在基片上沉积出所期望 ...

#61. 水平爐管個別原理

只不過在CMOS 元件的製作初期，大多數Oxide 介電層，都以Thermal. Oxidation 加以製作。 當金屬的沉積之後，將以標榜溫度低於400℃的PECVD Oxide。 【LPCVD TEOS Oxide】.

#62. 應用材料公司推出全新PECVD系統 - 人人焦點

應用材料公司推出全新的Applied AKT-20K PX PECVD 系統，用於製造最先進 ... 2.1PECVD工藝的基本原理PECVD技術是在低氣壓下，利用低溫等離子體在工藝 ...

#63. 交通大學研究團隊以ALD所提供的鈍化保護，提升Micro LED ...

近年來由於奈米元件的製程需求，半導體元件的尺度逐漸縮小，蝕刻造成的側壁缺陷逐漸無法忽視，PECVD不再能提供足夠的階梯覆蓋率，此時ALD沉積技術的 ...

#64. 電子材料連水養(S. Y. Lien) 電漿的基礎原理、製程與應用

沉積法(PECVD). 在CVD的反應中，任何參與反. 應的氣體分子的分解都需要一定的. 激發活化的能量，電漿增強化學氣. 相沈積法是反應氣體從輝光放電等.

#65. CVD工艺原理及设备介绍 - 无忧文档

二、PECVD基本原理及功能1. CVD的介绍一种利用化学反应方式,将反应物(气体)生成固态的产物,并沉积在基片表面的薄膜沉积技术. 如可生成: 导体: W(钨)等; ...

#66. 什么是PECVD？

一般CVD中，原料气体原子(分子)间发生化学反应，其产物沉积成膜面，而PECVD则是在 ... PECVD原理示意图，其立式反应器是用高顿产生辉光放电等离子体，常用来沉积氮化硅 ...

#67. pecvd製程

【相關下載：Graphite Boat】 營業項目光電，並確實填寫當天製程之製程原理低溫真空二氧化矽爐內面塗是藉由電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)，但不用在製程上。

#68. PECVD，从原理讲起 - 雪球

PECVD ，从原理讲起. 用户头像 · 摩尔光伏. 01-13 10:35. 关注. 老资料分享. PECVD的原理与作用. 生产过程中可能遇到的异常与处理方法. 主要内容.

#69. 有機化合物氣相沉積法有機化合物氣相沉積法製備CVD太陽薄膜 ...

此專題以使用PECVD 與Cat-CVD 形成多晶矽薄. 膜，研究對於太陽能電池表現所造成的影響，以及使用. RIE 光隔離結構探討太陽能電池效率的影響。 貳、研究原理.

#70. icp cvd 原理

設備原理因ICP之耦合方式係藉由磁場所產生，由電磁理論得知其電場，即離子加速 ... 直接式PECVD 原理圖間接式： 基片不接觸激發電極（如2.45GHz 微波激發等離子） 間接 ...

#71. Thin-Film Deposition Principles & Practice

PECVD (Plasma-Enhanced CVD): ... 即電漿密度較一般傳統PECVD之反應裝置還高的一種電. 漿設計。 ... 原理：當電流(I)通過一電阻(R)時會產生熱能，其功率(P)正.

#72. 最優良文章| 晶圓翹曲之應力分析技術 - 機械工業網

Plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD); Silicon nitride film; Stress simulation. 前言. 氮化矽（SiNx）薄膜有優異的光學、電學與機械 ...

#73. 研究機構能源科技專案106 年度執行報告

In-Line PECVD 電漿製程設備長時間運作穩定. 度測試，設定輸入射頻功率在300W ... 冷凍泵(Cryo Pump)的操作原理是將一表面的溫度降到極低溫，甚至可以.

#74. PECVD技術突破Novellus新平台提高40%生產速度 - 電子工程 ...

關鍵字：VECTOR Express VECTOR 電漿增強化學氣相沉積 PECVD MSSP ... “由於每台VECTOR都具有4個工作檯，因此，我們便利用生產線原理，將一個或二個 ...

#75. PECVD简介及色差 - 豆丁网

Name PECVD原理PECVD工艺过程PECVD:借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的 ... Name PECVD作用1、减反射利用光的干涉原理，通过调整膜厚与折射率， ...

#76. PECVD原理及设备结构 - 文档库

PECVD 设备工作原理_能源/化工_工程科技_专业资料。for solar cell CVD-1100设备工作原理目一、设备构成二、工作原理三、日常维护录一、设备构成CVD-1100型......

#77. PECVD電漿Arcing之改善研究 - Scribd

PECVD RF 之作用原理，Heater Top Plate 受電漿蝕刻離子轟擊,導 ... On the reduction of the Plasma Arcing in a PECVD Chamber ...

#78. betway97 -PECVD顏色均勻性的研究

摘要：根據多晶矽PECVD的製程原理，分別驗證溫度、流量、功率等工藝參數對鍍膜質量的影響，尋求最佳參數，從而達到優化工藝，改善鍍膜顏色質量，保證顏色均勻性的目的 ...

#79. CVD（LPCVD\APCVD\PECVD）工艺原理及图解- 课件资源

CVD（LPCVD\APCVD\PECVD）工艺原理及图解课件资源材料相关小木虫论坛.

#80. 「pvd pecvd」懶人包資訊整理 (1) | 蘋果健康咬一口

電漿輔助化學氣相沈積』(plasma enhanced CVD、縮寫PECVD)系統。,PECVD 製程原理, 電漿原理、CVD Clean endpoint 介紹、電漿中RF Vdc Vpp 代. 表意義及Vdc ..

#81. 關鍵詞 - 工業技術研究院

等，介紹其成長原理機制，如何用PECVD 成長出矽. 薄膜及如何調控矽甲烷(SiH4(g))及氫氣(H2(g))比. 例成長出品質較好的矽薄膜；並介紹利用電性、光.

#82. 核心技術 - 逢甲大學電漿科技研究中心

... 電弧離子鍍 (Arc ion plating, AIP) 及電漿輔助化學氣相沉積法(Plasma enhanced chemical vapor deposition , PECVD) 等，都是利用電漿原理才得以實現的技術。

#83. 摄像头PVD和CVD薄膜- 吴建明wujianming - 博客园

PECVD (原理) 是借助微波，或射频等，含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所 ...

#84. 一PECVD原理及设备结构 3 - 360文档中心

一PECVD原理及设备结构3的内容摘要：PECVD设备结构示意图冷却系统示意图运行顺序控制控制界面数据资料记录温度特气真空晶片装载CESAR控制电脑示意图.

#85. pecvd製程

Deposition (PECVD) PECVD利用電漿來幫助化學沉積反應的進行，並降低反應發生所需 ... PECVD工作原理腔體內有上下兩塊電極，工件置於下面的電極基板之上，電極基板加熱 ...

#86. 奇妙的電漿與電漿的應用 - 國家實驗研究院

... 與佈植技術方面，都是用電漿原理來實現半導體的製程，而其中佈植領域的電漿 ... 像在薄膜沉積製程中的濺鍍(Sputtering)、電漿化學氣相沉積(PECVD) ;蝕刻製程中的 ...

#87. PECVD 的原理与分析 - 文库下载

PECVD 的原理物理性质和化学性质: 结构致密,硬度大能抵御碱、金属离子的侵蚀介电强度高耐湿性好PECVD的原理Si3N4膜的作用: 减少光的反射:良好的折射率和厚度可以促进太阳光 ...

#88. PECVD设备正式下线，光电大时代即将开启-光伏再迎“肾上腺素”

管式PECVD原理. 数据来源：光伏测试网. 随着设备超预期提前下线，捷佳伟创股价亦是一路高歌猛进，跳空创下历史新高，带领光伏板块在近期弱势行情中独 ...

#89. 第五章電漿基礎原理 | 健康跟著走

hdp cvd原理- 電漿基礎原理.2.電漿的成分.•電漿是由中. ... 和氧的 ... ,PECVD 製程原理, 電漿原理、CVD Clean endpoint 介紹、電漿中RF Vdc Vpp 代... 刻，電漿增強式 ...

#90. OES技術於電漿製程監測之應用 - 材料世界網

本文討論光放射光譜(Optical Emission Spectroscopy; OES)之原理和電漿製程 ... 本文介紹數個電漿之監測實例，包括PECVD 、PVD 之應用，藉以說明從OES ...

#91. 一PECVD原理及设备结构3.ppt - 文档猫

一PECVD原理及设备结构3.ppt · 第1页 · 第2页 · 第3页 · 第4页 · 第5页.

#92. 3分钟了解什么是PECVD？ - 诺泰科技

PECVD （Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）的概念及其原理：利用强电场或磁场使所需的气体源分子电离产生等离子体，等离子体中含有很多活性很高 ...

#93. OCTOPUS - INDEOtec

的功能原理。 镜像反应器概念. PECVD 镜像反应器可以在基板两面实现超. 均匀沉积，无需翻转基板，中断真空。在传. 统PECVD 反应器中，基板直接放置在一块.

#94. 平行板电容式PE-CVD - 维意真空

一、PECVD原理：. 化学气象沉积(chemical vapor deposition,简称CVD)是在一定的温度条件下，混合气体之间与基材表面相互作用，并且进一步在基材表面形成金属膜或者 ...

#95. 等离子CVD的构成例（W35系列） - KOBELCO 神戸製鋼

面向量产的PECVD卷绕镀膜机. W60C系列. 原理. CVD卷绕镀膜机概念图. 在卷绕着基膜的2根辊之间加入磁场，提供电力，发生放电，再向辊子之间加入HMDSO等原料气体，对基膜 ...

#96. 行政院原子能委員會委託研究計畫研究報告

frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (VHF PECVD) ... 密度環境下，能藉由雙駐波疊加原理有效改善其均勻性，電漿密度. 低於1x1014(m-3)時，〈Erf〉值 ...

#97. 太陽光電產業研究圖表總覽 - 第 30 頁 - Google 圖書結果

... 氮化矽層鍍膜技術比較鍍膜技術鍍膜技術優缺點優缺點 2-51 PECVD設備技術發展概況 ... 設備技術發展--網印機技術發展原理挑戰減少表面電極遮光面積技術發展原理挑戰 ...