關於 mos cv量測 ，我們在網路上蒐集到這些相關的討論、資訊與評價

#11. 「mos cv」懶人包資訊整理 (1) | 蘋果健康咬一口

mos cv資訊懶人包(1)，金屬-氧化物-半導體結構是MOSFET的一部分， ... 第四章、剖析與驗證C-V 量測量測技術。 ,以金氧半場效電晶體（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人 ...

#12. CV特性曲線 - 中文百科全書

C-V 特性曲線（電容電壓特性曲線）是用來測量半導體材料和器件的一種方法。 ... 金屬-氧化物-半導體結構是MOSFET的一部分，用來控制電晶體溝道中勢壘的高低。

#13. 中華大學碩士論文

3.4 金氧半電容(MOS-C)之電性量測. 本實驗對電容的量測項目主要有電容電壓量測( C-V Measurement )、等效氧化層. 厚度( Equivalent Oxide Thickness，EOT )、平帶電壓 ...

#14. 电容测量原理- 测试参数第八章 - 知乎专栏

所有计算都依据下面的(CV) 曲线。 图8.2 — 电容- 电压(CV) 图. 可从标准平板电容器公式计算MOSFET 栅极氧化 ...

#15. 賴聰賢博士超薄高介電值氧化層-半導體

頻率的C-V、G-V 量測發現，由於介電質層很薄的緣故，使得串聯和 ... For Y2O3/Si MOS capacitors, we obtained a oxide charge density ~ 7.7 x.

#16. cv量測原理 - 軟體兄弟

cv量測 原理,半導體C-V測試目前可以採用三種不同的電容測量技術:常用的交流阻抗電容計、準靜態 ... 為了便利於MOS原理的探討，通常假設金屬的work function 與半導體.

#17. C-V測量_百度百科

概念. 電容-電壓測試長期以來被用於判斷多種不同器件和結構的各種半導體參數，範圍從MOSCAP、MOSFET、 ...

#18. 微电子器件测试实验

C-V 测量常用于定期监控集成电路制造工艺。 通过测量MOS电容高频和低频时的C-V曲线，可以得. 到栅氧化层厚度t ox.

#19. 電壓電容量測方案- 產品介紹 - KeithLink 凱思隆

The system is equipped with manual prober with optional heating facility and CV meter to realize the C-V behavior of MOS or other capacitor at different ...

#20. 4200A-SCS 參數分析儀

此外，RPM 可擴展4225-PMU 超快. 速脈衝I-V 儀器模組的低電流量測能力。 3. 電容-電壓設備(CVU). 電容-電壓(C-V) 量測經常用於分析MOSFET ...

#21. 國立臺灣師範大學機電科技學系碩士論文指導教授：劉傳璽博士 ...

MOS structure with Zr incorporated Y2O3 stack high-k dielectric layer. 研究生：柯智馨撰 ... 多薄膜的電性數據包括在不同的量測溫度下所得到的漏電流值、由C-V 所.

#22. 金屬氧化物半導體場效電晶體 - Wikiwand

以金氧半場效電晶體（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。 ... 電洞濃度為NA）形成的MOS電容，當給電容器加負電壓時，電荷增加（如C-V曲線左側所示）。

#23. 半導體元件參數分析(I-V Curve) - iST宜特

... 驗證與量測半導體元件特性(Diode I-V curve、MOSFET特性曲線)。 ... 可協助驗證及量測半導體電子元件的參數與特性，如：電容-電壓(C-V)、電壓- ...

#24. 轉寄 - 博碩士論文行動網

論文名稱: MOS結構的電容-電壓曲線之量測與應用. 論文名稱(外文):, Capacitance-Voltage Curve of MOS Structure: Measurement and Application. 指導教授: 甘炯耀.

#25. 行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告 - NTU Scholars

技術為主，模擬並設計新型元件、 MOS. 電子元件及光電元件(子計畫一)， ... optoelectronic devices ( subproject1), MOS ... 壓(Vfb)的討論，利用量測高頻C-V 圖形，.

#26. 行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告- 電能處理系統之 ...

量測 碳化矽基板所製作出來的MOS. 電容，分別測試它的C-V 曲線、漏電流和. 氧化層崩潰電壓。我們可以由C-V 曲線來. 算出氧化層電容值也可以推算氧化層厚. 度，而觀察漏電流 ...

#27. 半導體量測實驗室

3. MOS 電容器高低頻C-V 特性量測。 4. 雙極性電晶體之I-V 特性之量測與分析。 5. MOS 元件I-V 特性曲線量測與分析 ...

#28. MOS結構的電容-電壓曲線之量測與應用 - Airiti Library華藝線上 ...

本論文透過簡單的製程，製作MOS結構，過程包括標準晶圓清洗，高溫氧化爐管生成二氧化 ... 另外，我們搭配生命週期的量測，計算表面再結合速率，與C-V所得到表面再結合 ...

#29. [10S308]【竹科管理局補助課程】半導體元件量測實作(實作)

自強課程 · 1.Practice of semiconductor device analyzer · 2.P/N and Schottky junction · 3.MOS capacitor characterization- CV · 4.MOSFET characterization

#30. 具熱穩定性之HfO2 及ZrO2 系列閘極氧化膜之研發與界面鑑定

曲線，而C-V 曲線則使用LCR meter (HP 4284)進行量測。 研究第一部分在空白矽晶片上沈積ZrO2 薄膜，並探討 ... 使用SiO2 作為MOS 結構中閘極氧化層的歷史已經超過30 年.

#31. 具有高介電閘極氧化層之增強型氮化鋁鎵/氮化鎵金屬

Investigations on Enhancement-Mode AlGaN/GaN MOS：HFETs ... 以高/低頻電容-電壓(C-V)量測技術，計算MOS 閘極之介面密度. (Dit)。 ※閘極介面狀態密度計算：.

#32. Chapter 6 金氧半場效電晶體及相關元件 - SlidePlayer

17 理想MOS曲線（C-V圖） 聚積情形下，負偏壓加的越多，累積在半導體表面的電洞濃度增加，同時金屬層表面感應之負電荷也增加，電壓僅跨在氧化層上。 故MOS的單位面積 ...

#33. 奈米尺寸應變N型金氧半場效電晶體之載子傳輸特性的研究

關鍵字: 應變;Strained Si:C;金氧半場效電晶體;C-V量測;I-V量測;C-V;I-V ... "Measurements and modeling of the n-channel MOSFET inversion layer mobility and ...

#34. 制备可测量mos电容器低频cv曲线的器件结构的方法 - Google ...

本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种制备可以测量金属-氧化物-半导体（MOS）电容器低频电容-电压（CV）特性的器件结构的自对准工艺方法。该方法采用自对准工艺制作 ...

#35. 吉時利4200A-SCS 參數分析儀 - Tektronix

此外，嵌入式量測專門知識提供無可匹敵的測試指引，並讓您對結果量測有無比信心。 特性. 適用於DC I-V、C-V 和脈波I-V 量測類型的進階量測硬體; 運用數以百計 ...

#36. [半物XVBA] Flat Band Voltage. 一份MOS 結構的C-V ... - Medium

現在用物理公式一步一步推出平帶電壓。 先得到基板(substract)濃度：. 將量測出的電容-電壓檔案中1/C² 對gate 電壓進行 ...

#37. 半导体CV测量基础_技术

电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析，包括 ...

#38. Electronic Devices: MOS Capacitor (07) - CV characteristics

#39. hspice .meas能否量測MOS 電容CV curve在某點電壓上的電容值

利用lx18(m)跑出mos電容的C-V curve能有用.meas量測在電壓值對應的電容值呢?或是各位大大有其他更好的方法?? hspice .meas能否量測MOS 電容C-V curve ...

#40. 利用吉時利4200-SCS機型參數分析儀進行晶圓級可靠性測試

直流量測. 全方位的特性分析. (I-V、C-V、CP). 表1. 近期晶圓級可靠性測試的發展趨勢。 ... 電荷載子由橫跨MOSFET通道的大型電場加速時即會獲得.

#41. 鉻緩衝層厚度在鈦酸鍶鋇薄膜之介電性質及機械應力之研究

對於半導體C-V 量測而言，如圖3-12所示。簡單的說，便是在MOS 的. Gate 和Substrate 之間或電容元件的上下電極加上一電壓(Voltage)而去觀.

#42. [問題] 載子濃度(霍爾量測vs.CV量測) - 看板Electronics - 批踢踢 ...

各位板上的大大好小弟最近在讀半導體物理時看到了霍爾量測和C-V量測都可以得到載子濃度C-V量測是在PN和MOS的章節知道的但是不知道這兩種方式得到的載 ...

#43. 應力誘導曲率對4H-SiC MOS平帶電壓和界面態密度的影響

本文作者通過電容- 電壓（C-V）測試研究了應力/應變引起的曲率對柵氧界面態密度（Dit）的影響。外延晶片的曲率通過薄膜應力測量系統進行測試。在乾熱氧化 ...

#44. 凱思隆科技股份有限公司

MOSFET I-V、四點探針片電阻、溫度電阻、太陽能電池效率…等量測程式。 ▫ PLED/OLED 功能性測試系統. 提供發光強度-電流-電壓（LIV ...

#45. 电容测量原理- 测试参数第八章 - 电子工程世界

图8.2 — 电容 - 电压(CV) 图. 可从标准平板电容器公式计算MOSFET 栅极氧化层厚度(tox)。 显然，最好能创建一个自动完成参数抽取过程的程序。

#46. 學期別: 1051 課程名稱: 239019-0 半導體元件特性與量測一 ...

第4週: Carrier and Doping Density 量測:C-V Measurements (Schottky and ... 第9週: Defects 量測:Deep-Level Transient Spectroscopy 第9週: 期中考試第10週: MOS ...

#47. 以液相沉積法備製並施以氫鈍化具低介面狀態密度雙層二氧化矽 ...

Study of LPD-Sio2/Tio2/Si MOS capacitor with low density of interface ... 當TiO2退火500℃後，經1MHz電容電壓(C-V)量測，可得一下降空乏區之C-V曲線，求得其氧化層 ...

#48. 絕緣層上矽分析及應用

此研究主要是針對絕緣層上矽金氧半電晶體（Silicon on Insulator MOS）進行理論 ... 其中，絕緣層上覆矽電晶體的主要優點－低消耗功率上的量測，主要是探討漏電流的 ...

#49. Electronic Instrumentation and Measurement - 國立成功大學 ...

儀器總覽：電子測試儀器，國科會精密儀器發展中心，1998。 ... (量測不一致的原因) ... C-V)量測. The C-V (Capacitance vs DC voltage) characteristic of a MOS.

#50. MOS CV测量问题（不同频率下积累区电容不变 - 小木虫

MOS CV 测量问题（不同频率下积累区电容不变，电容过低；硅衬底直接接触探针台） 信息科学电子科学小木虫论坛.

#51. 台灣半導體研究中心異質整合製程組SE-C06 直流量測系統

使用HP4145B 兩探測點量測方式(如共平面或MOS 結構),不需更動任何接線, ... 如使用E4980A-CV 量測或HP4140B IVCV 機台,請自行檢查接線至機台端,可使用的探針為探.

#52. cv曲線怎麼分析半導體 - 上海市有色金属学堂

➀ 微電子器件比如MOS管的C-V曲線如何計算呢為什麼測量時還要加上小信號交流電壓. 電容的定義是電荷對電壓的微分，因此C-V曲線的計算正是從Q-V曲線求 ...

#53. 掃描電容顯微鏡分析技術及其在矽晶圓表面分析之應用

子濃度的分佈對雷射二極體、DRAM、MOS 及雙 ... 方法是傳統電性量測中的電容－電壓(C-V) 量測技. 術，而將電容－電壓量測技術的觀念引入掃描探針.

#54. High k/metal gate 金氧半場效電晶體交流電壓下可靠度研究The ...

在使用電晶體的簡單邏輯電路中最小開關延遲時間的量測，由於會影. 響電晶體的反應時間，而微縮會 ... 缺陷的產生，由MOS電晶體C-V特性曲線得知，所填補的氧化層電荷.

#55. Semiconductor Device5 | PDF - Scribd

MOSFET 7. Optical Device. 聯大電機系電子材料與元件應用實驗室 ... flat band 的判斷顯示在C-V量測時其圖形是否對電壓軸對稱而定 利用該方式則可求出金屬與 ...

#56. 半導體元件物理與製程：理論與實務-3版- PChome 24h書店

3.1 MOS電容的結構與特性 3.2 理想的MOS(金氧半)元件 3.3 實際的MOS(金氧半)元件 ... 13.2 C-V（capacitance-voltage）電性量測 13.3 RF 電性量測 13.4 元件模型

#57. 所謂MOSFET－寄生電容及其溫度特性| 基本知識

由於使MOSFET動作必須驅動（charge充電）此電容，因此Ciss是討論輸入功率元件驅動能力或損失時的參數。而驅動（charge充電）Ciss所需要的電荷量則是Qg。

#58. CN2056515U - 电流补偿式微电容变化量测试装置 - Google

本装置属半导体测量技术(C-V技术)，具体地说，就是涉及MOS器件中微量可动离子，PN结(或MS结)中微量深能级杂质以及高性能二极管配对筛选的测量技术。

#59. NCU Institutional Repository-博碩士論文965301009 詳細資訊

2.1.4 分離式電容-電壓量測(Split-CV Measurement) 10 ... Nitride Capping Layer in MOS Transistors”, IEEE Transaction on Electron Device, VOL.

#60. KEITHLEY技術白皮書庫

利用大功率電源電錶儀器建構多台電源量測單元(SMU)系統 ... 半導體元件/材料的脈衝I-V測試 太陽能電池的的C-V特性分析 新興元件/材料的低電流量測 積體電路的IDDQ測試 ...

#61. 实验18 MOS结构高频CV特性测试 - 豆丁网

它可以方便地确定二氧化硅层厚度ox 、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度、和固定电荷面密度fc 等参数。本实验目的是通过测量MOS 结构高频C-V 特性及偏压温度处理（ ...

#62. 详解半导体器件CV特性测试 - 电子元件技术网

比如在MOS 结构中， C-V 测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂 ... 进行C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号 ...

#63. 鋁/液相沉積二氧化矽/鍺金氧半元件的特性探討林東賢、黃俊達

圖2-3偏壓下金氧半二極體電容的能帶圖..............4 圖2-4 VG=0 的理想MOS 二極體 ... LPD-SiO2之高頻量測C-V電性圖...............36 圖4-14 LPD-SiO2-200 oC高低頻 ...

#64. 當年度經費： 20000 千元 - 政府研究資訊系統GRB

在元件製作上已完成MOS 元件高頻CV量測. 本年度將進一步以低頻量測探討Si/SiO2 界面缺陷密 度之改善, 並製作TFT以確認移動率之提昇. 此外探討超低溫(<150oC)氫化之可行 ...

#65. LAB906 - Lab in Measurement of Semiconductor Devices

半導體元件模擬量測 · C-V matlab code · AMPS-1D · I-V C-V量測for MOS · 四點探針 · 霍爾量測 · Sputter · 上一頁. Report abuse. Page details. Page updated.

#66. 崩潰電壓量測 - Yhkt

和傳統金屬半導體蕭特基(Schottky) 接觸C-V量測法比較，其優點為量測深度不受崩潰 ... MOS测试原理解析_信息与通信_工程科技_专业资料13050人阅读|1637次下载MOS测试 ...

#67. 金氧半電晶體（MOSFET）

為MOSFET的核心部分：由上往下之材料分別為金屬、氧化層及半導體。 ... 電荷為正時，CV圖會往左平移，且電荷越多，平移量越多；當氧化層電荷為負時，CV圖會往右平移。

#68. 電容電壓曲線CV特性曲線 - Gkgnae

電信工程學系碩士班 · PDF 檔案圖C.5 反轉型MOS 可變電容電壓電容特性曲線(a) PMOS (b) NMOS..67 圖C.6 累積 ... 藉由C-V 量測系統可量測樣品的「電容-電壓」曲線。

#69. MOSFET 的CV 曲线仿真方法

第一个方法试的时候发现测出来偏大，后来发现把实部也算进去了。 这里分享一下经验教训，.measure ac i_nmos find ii(V1) at ...

#70. 半导体C-V测量基础

C-V 测量为人们提供了有关器件和材料特征的大量信息通用测试电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。

#71. 氧化物-半導體異質場效電晶體研製與分析 - 9lib TW

Investigations on Enhancement-Mode AlGaN/GaN MOS：HFETs with High Dielectric Gate ... 以電容-電壓(C-V)量測技術，萃取閘極介電氧化層之介電係數(k) 值。

#72. 圖形化晶體管測試儀電阻+電容+二極管+可控矽+電感+三極管+ ...

測量MOSFET的柵極閾值電壓和柵極電容。 測量雙極晶體管電流放大係數和基極- 發射極閾值電壓。 一鍵式操作，自動關機，避免不必要的浪費。 檢測時間短：僅2秒。

#73. 半导体C-V测量基础(全文)

通用测试电容－电压(C-V)测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析 ...

#74. moscap 原理 - Irgne

在“半導體C-V測量基本原理”一文中，提出將開關電容電路型Sigma-Delta調制器中的電容 ... MOS管結構原理圖解（應用優勢三個極代表這是該裝置的核心，電容-電壓(C-V)測試 ...

#75. 電子負載基本原理 - 測試儀器租借

使用CV 模式來擷取I-V 曲線與增量電壓，即可量測電流。 可攜式元件– 可對電子負載進行程控，以模擬元件的各種電源狀態，例如耗.

#76. MOSFET 栅极驱动电路

MOSFET 栅极驱动电路. 概述：. 本文档说明了功率MOSFET 的栅极驱动电路。 ... 但由于Q＝CV，因此增大栅极电压会增加Qg，. 从而增大栅电流和驱动损耗。

#77. 第22卷第6期

电容,详细测量并分析了6H SiC MOS 电容的电学特性,其有效电荷密度为4.3x10" cm ... 13.1 SC MOS 电容高频C-V特性 ... 光照条件下测量CV曲线,偏压扫描速率为0.1V/.

#78. mos 電容MOSFET動態輸出電容特性分析 - Prxbri

MOS 的C-V曲線要用Hspice去模擬它的高頻電容，改變不同氧化層厚度，過程包括標準晶圓 ... MOS管驅動電路詳解，近年來才改為金屬），藉由電容值的量測，有沒有指令? ex: ...

#79. PDF - 物理学报

图2 n型Insb MOS 器件的CV 谱测量曲线(实线). 和拟合曲线(虚线). 图3 从CV 实验数据拟合获得的共振缺陷. 态的浓度分布. 在反型國值电压后,表面形成p型沟道,在沟道中, ...

#80. 崩潰電壓量測 - 台灣公司行號

請問高手，MOS電容的崩潰電壓，他的I-V曲線看崩潰電壓，是看曲線切線還是看切入點？ 請問高手，I-V曲線可以用哪些儀器量測（盡量多一點） C-V曲線可以用哪些 .

#81. 功率器件的IV/CV 特性测试方案_电子行业

交流C-V 测试可以揭示材料的氧化层厚度，晶圆工艺的界面陷阱密度， ... 进行C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行测量 ...

#82. NSC-89-EPA-Z-018-001電動機車關鍵技術研究 能源模組 ...

駛，量測收集實車行駛時之放電資料，並發展以電池模型為基礎且具備自我修正能力之殘電 ... 控制電路，且經由實驗結果證實以Power MOSFET 之均充電路.

#83. 【哈尔滨工业大学】MOS结构高频CV特性测试系统 - 教育装备 ...

【MOS结构高频C-V特性测试系统】 功能/作用介绍简介MOS结构是建立半导体表面理论的基础，也是半导体器件与集成电路的基本结构。测量MOS结构高频C-V ...

#84. AIN/AIGaN/GaN MIS异质结构CV分析 - 氮化镓器件

C-V 测试是研究绝缘栅HEMT器件性能的重要方法，采用Keithley4200半导体表征系统的CVU模块测量了肖特基栅和绝缘栅异质结构的C-V特性。 1 .

#85. 使用說明書

電容測試. 9. 2.3.1 交流定電壓源量測. 9. 2.3.2 直流定電流量測法 ... 使用Mode CV時，定電壓V 為 0.1V。 ... 量測MOSFET 增強型(如右圖), 程式應設定如下:.

#86. 半導體元件物理與製程: 理論與實務(第3版) | 誠品線上

... 效電晶體(MOSFET)的基礎3.1 MOS電容的結構與特性3.2 理想的MOS(金氧半)元件3.3 ... 電性量測13.2 C-V（capacitance-voltage）電性量測13.3 RF 電性量測13.4 元件 ...

#87. 【mosfet特性量測】與【何謂導通電阻？要如何測量？】【要 ...

【要如何用三用電錶簡單量測場效電晶體FET？】 ... 目前在做MOS的量測,Vt跟一些ID-VD ID-VG C-V都以量測出來卡在W/L比和載子的移動率... MOS電容的特性決定了MOSFET的 ...

#88. 電容器- 中英

量測 後，將偏壓加到MOS電容器，使晶圓受熱，增加移動離子的遷移率。 ... 常見量測移動離子濃度的方法之一，第一步是在取樣晶圓製造的M O S 電容器上量測高頻C-V曲線。

#89. 其他(國際會議)) 赴德國參加第十二屆化合物半導體材料與元件 ...

C-V. 、. DLTS. 量測結果比較，下圖為. MOS. 結構的. QTS. 量測結果。 議程. Mo:PS1. 以感應式電化學反應腔製作多層矽. /. 氧化矽超晶格結構.

#90. 免於電荷注入誤差之電荷式電容量測方法研究與應用

張耀文 · 免於電荷注入誤差之電荷式電容量測方法研究與應用 · A Study of Charge-Injection-Error-Free Charge-Based Capacitance Measurement and Its Applications.

#91. mos cv圖MOSFET - Filnd

mos 結構的c-v特性報告人：王碩2011年11月22日1 mos結構的c-v特性? · PDF 檔案圖7. 輸出控制訊號設計上， Digital Video，而且量測可靠度絲毫不打折。 Cover Letter. Your ...

#92. 现代半导体器件物理与工艺- MBA智库文档

右图为在不同频率下所测得的MOS的C-V曲线，注意低频的曲线发生在≤100Hz时． 在前一图中，我们假设当金属平行板上的电压发生变化时，所有增加的电荷将出现在耗尽区的 ...

#93. mos管基本特性测试_文档猫

主板MOS 管的测量和判断方法主板上基本上都是N 沟道的MOS 管~一般我们的测量方法如下~ ... [6页]西安电子科技大学微电子学院实验22 MOSFET 的低频CV 特性测量MOSFET 的 ...

#94. 半導體元件物理與製程─理論與實務 - 第 95 頁 - Google 圖書結果

圖 3-7 亦顯示在不同頻率下所量到 MOS 元件的 C-V 曲線。下面,我們再提出二點重要討論,供讀者在實務上的應用。第一,在強反轉情況下,經由量測高頻與低頻電容, ...

#95. 國研院台灣半導體研究中心

即時訊息 · 晶片設計 · 製程量測 · 教育訓練 · 技術推廣.

#96. 固態電子學 - 第 333 頁 - Google 圖書結果

圖 13.10 (a)高頻 MOS 電容 C-V 曲線,(b)頻率對 C-V 曲線的影響(資料來源:參考 ... 如果量測頻率夠高,可以忽略載子在耗盡層中的產生與復合,則這些負電荷-dQs 可以視為 ...

#97. 認識二極體及電晶體特性曲線

（3）了解二極體及電晶體特性曲線的量測與及描繪。 二、 使用材料. 零件名稱. 零件值. 數量. 電阻. 10 Ω.

#98. 半導體製程設備技術 - 第 343 頁 - Google 圖書結果

段的金屬製程之後於氫氣(H 2 )的環境中進行低溫回火來降低界面陷阱電荷(Qit)的量。圖7.40 Si-H鍵結之形成高頻的電容對電壓特性曲線(C-V curve)閘極氧化層(Gate Oxide) ...