關於 mos電容計算 ，我們在網路上蒐集到這些相關的討論、資訊與評價

#11. 功率MOSFET基础知识详解 - 大大通

当电压波动出现在漏源两端时，该电容使电流I2变大而流经基极电阻RB。通过第一种导通机制进行类推，可通过下列公式计算出该机制下的dv/dt能力：.

#12. 導通電阻| 電子小百科- Electronics Trivia | 羅姆半導體集團

MOSFET 工作時汲極-源極間的電阻值稱為導通電阻。 導通電阻越小， ... 計算功率損耗時，需要考慮閘極源極間電壓和汲極電流，選擇適合的導通電阻。 ... 什麼是鉭質電容？

#13. 如何仿真MOS电容的电压-电容曲线？ - 知乎专栏

原理介绍今天介绍的MOS电容仿真原理基于下面的公式，通过仿真两端口网络的阻抗值，然后间接计算出电容值。 电容的阻抗…

#14. 開關電源MOS的8大損耗，電源工程師必讀！ - 壹讀

在器件設計選擇過程中需要對MOSFET 的工作過程損耗進行先期計算（所謂先期 ... 為變壓器初級側繞組層間寄生電容在MOSFET 開關開通瞬間釋放的電流) 。

#15. MOS電容器| 它的工作原理2+重要參數 - Lambda Geeks

要構建MOS電容器，最需要和最主要的是柵極溝道襯底結構。 ... MOS電容器介紹; MOS電容器的接口電荷; 不同狀態的工作原理; MOS電容 ... CMOS =半導體電容可以計算為.

#16. 「mos電容計算」懶人包資訊整理 (1) | 蘋果健康咬一口

Q(b): 對一個W/L = 8μm/0.8μm的MOSFET，計算所需之. ,MOSFET中的电容计算. 2019-06-19 06:58 | 来源：互联网. 自从30 多年前首次推出以来，MOSFET 已经成为高频开关 ...

#17. 干货|工程师必读开关电源MOS的8大损耗 - 电子工程专辑

先通过计算得到MOSFET 截止时所承受的漏源电压VDS(off) ，在查找器件 ... Ib 为变压器初级侧绕组层间寄生电容在MOSFET 开关开通瞬间释放的电流) 。

#18. 四、場效電晶體原理1. 電晶體簡介2. MOSFET的操作原理(定性 ...

電容 的半導體和氧化層介面處吸引 ... MOS結構的電容Cox：因為用MOS結構在半導體與氧化層間之介面 ... 這裡我們先計算υDS很小的情形，即通道載體分佈均勻的情形。

#19. MOSFET动态输出电容的作用及测量方法 - onsemi

这只是开关损耗的其中一个组成部计算死区时间at也需要有效电容: 式中的单值电容。如图1及图2所示,方程分,但它很重要。当选择MOSFET及为.

#20. 金氧半電容- 维基百科，自由的百科全书

Nicollian and J. R. Brews （1982）, MOS （metal oxide semiconductor） physics and technology. ^ K. J. Yang and C. Hu, "MOS Capacitance Measurements for High- ...

#21. 閘極驅動器電源需求

常見的開關元件為IGBT與MOSFET、SiC以及GaN。如果轉換器是電壓較高的應用，上臂開關驅動器就必須與地隔離。另外，驅動器與驅動器電源必須具備低隔離電容 ...

#22. 處理MOSFET非線性電容- 電子技術設計 - EDN Taiwan

電荷平衡技術最初是為產生超接面MOSFET的高電壓元件而開發的，如今已擴展到更低電壓。儘管MOSFET的有效儲存電荷和能量確實減少了，但計算這些參數或 ...

#23. MOS管栅极电阻的功耗该如何计算 - CSDN博客

功率MOS管的寄生电容大概是1nF左右，我们就取1nF。 最终问题提炼为：驱动电压10V，驱动信号为PWM波，占空比为50%，频率为1Mhz，寄生电感10nH ...

#24. 材料科學與工程學系奈米科技碩士班碩士論文臨界電壓可調式 ...

圖38 將圖37 的電流變化計算誠ITO 電極之表面電位變化。 ........................... ... 在這個NMOS 中，做為通道讓載子通過的是MOS 電容正下方半導體的表面區域，.

#25. MOSFET／双极晶体管／IGBT | 东芝半导体&存储产品中国官网

MOSFET 的电容特性是什么？ ... 电容、栅极电荷（Qg）和开关特性是否有最大保证值？ ... 如何计算小信号MOSFET的通道到环境的热阻Rth（ch-a）？

#26. MOSFET電容特性及參數計算 - 全网搜

MOSFET 是與施加電壓相關的電容器。MOSFET的柵極至襯底的電容取決於所施加的直流電壓(在直流電壓上疊加幅度小得多的交流電壓進行測量)。

#27. MOS驱动电流计算的三种方法 - 电源管理芯片

三极管开关电路与场效应管电路的区别？ 光耦在电路中的作用及工作原理 · 二极管在稳压三极管中输出为何只有一半？ MOS管米勒效应电容 ...

#28. MOS输入输电容等效计算-综合电源技术

三个差不多电压导通电阻的MOS,在动态特性参下数据因测试条件不同差异很大。有办法计算同等条件下大约是多少？,电源论坛,电子论坛,世纪电源网社区.

#29. MOSFET 栅极驱动电路

图1.3 MOSFET 中的电容. 图1.4 栅极电荷（电阻负载）. 1.2.2. 计算MOSFET 栅极电荷. MOSFET 开启期间，电流流到其栅极，对栅源电容和栅漏电容充电。

#30. MOS管驅動電阻怎麼選擇 - 道客文檔

MOS 管驅動電阻怎麼選擇,mos管驅動電阻怎麼選擇給定頻率mos管的qg和上升沿怎麼計算用多大電阻首先得知道輸入電容大小和驅動電壓大小等效為電阻和電容 ...

#31. 开关电源MOS的8大损耗计算与选型原则！

在此上的基本原则为MOSFET 实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏 ... MOSFET 损耗计算主要包含如下8 个部分： ... Coss电容的泄放损耗计算.

#32. 半导体器件原理（之）MOS电容-专业mos管技术知识！_电子新闻

6.3.4.1。简单电容模型 6.3.4.2。扁平带电容的计算 6.3.4.3。深度耗尽电容 6.3.4.4。实验结果与理论6.3.4.5的比较 。MOS电容器中的非理想效应 ...

#33. 开关电源MOSFET 的交越损耗分析

串联导通电阻，Ciss 为MOSFET 输入电容，Rg 为MOSFET 的栅极电阻。 ... 6.727A，所以，开通时米勒平台电压VGP=2+5.273/19=2.278V，可以计算得到：.

#34. 盤點功率MOSFET典型應用的28個問題 - 今天頭條

Qgs 和Qgd 都是基於相關的電容的計算值。 上升和下降的延時和Crss、Ciss 都相關，測量條件是阻性負載。如果是感性負載，電感 ...

#35. MOS管损耗如何计算及计算公式-竟业电子 - 场效应管

MOS 管损耗组成：导通损耗Pon+截止损耗Poff+开启过程损坏+关断过程损耗+驱动损坏Pgs+Coss电容的泄放损耗Pds+体内寄生二极管正向导通损耗Pd_f+体内寄生 ...

#36. 第8章場效電晶體

MOS 結構可視為一個簡單的平行板電容，以P型基板的MOS為例，如. 圖8-10(a)所示，金屬電極板 ... 以N 通道JFET為例，套用模型計算法求FET工作點之流程，如圖8-. 20所示。

#37. MOSFET動態輸出電容特性分析 - 電子工程專輯.

如圖1及圖2所示，公式1極適用於平面型MOSFET元件，但像超接面等更複雜結構的表徵效果極差，在任何計算中都會導致較大誤差。 為了適應各種新元件架構的電容 ...

#38. 理解MOSFET時間相關及能量相關輸出電容Coss(tr)和Coss(er)

由於功率MOSFET的電容特性是非線性的，Coss容值會隨著VDS電壓變化，基於Coss的Eoss也是非線性的，因此，直接使用上述傳統電容儲能的公式計算電容的 ...

#39. 如何计算MOSFET栅极电容的充电时间 - 百度知道

2016-06-25 主板供电中电感电容mosfet 哪个更重要 51; 2017-12-16 直流电为电容充电，充电时间怎么计算啊? 25; 2012-08-01 MOSFET的栅极电流残留问题 ...

#40. 功率MOS FET 功率MOS FET的特性 - Renesas

项几乎不受各电容温度的影响。 在功率MOS FET的驱动电路设计阶段，为了给驱动损耗和输入电容充电，在计算必须的峰值电流时使. 用输入电容Ciss。

#41. MOSFET的2nd order effect

應用電子學7-34中興物理孫允武. MOSFET的2nd order effect. 通道長度調變效應. 基板電壓效應. 溫度效應. 崩潰. MOSFET中的電容 ... |=2V，可計算得在飽和區時：.

#42. MOSFET 驱动器与MOSFET 的匹配设计

MOSFET 栅极电容充电和放电有关。这部分功耗通常是. 最高的，特别在很低的开关频率时。 为了计算公式1 的值，需要知道MOSFET 栅极电容。

#43. 臺北市立內湖高工106 學年度第二學期第一次期中考電子科二 ...

選擇劃卡·計算題手寫. 共2 頁之第1 頁 ... N 通道增強型MOSFET 的閘- 源極電壓VGS 應如何才能使 ... (A) 耦合電容(B) 級際電容(C) 雜散電容(D) 分佈電容.

#44. 计算MOSFET非线性电容 - 手机搜狐网

MOSFET 有效储存电荷和能量减少，而且显著减少，但计算或比较不同MOSFET参数以获得最佳性能变得更加复杂。 MOSFET三个相关电容不能作为VDS的函数直接 ...

#45. CMOS：MOS电容 - 360doc个人图书馆

MOS电容 是晶体管的重要组成部分，与pn结相同，MOS电容也拥有两个端口通过 ... 中，平衡后的费米能级与本征费米能级之间的关系可以通过如下方式计算：

#46. 五、計算一理想MOS 電容的臨限電壓（threshold voltage）V ...

【非選題】 五、計算一理想MOS 電容的臨限電壓（threshold voltage）VT。MOS 的結構為金屬-氧化層-p 型矽半導體，設金屬的功函數qΦm = 4.1 eV，p 型矽半導體的濃度為Na ...

#47. 國立臺灣師範大學機電科技學系碩士論文指導教授：劉傳璽博士 ...

表4.2 四種不同試片結構，利用電容值計算出的介電常數和有效氧化層厚度 ... 共鍍技術(co-sputtering) 製成金氧半電容器(MOS capacitor)，再利用儀器去測.

#48. 開關電源MOS的8大損耗計算與選型原則！ - 時科SHIKUES

損耗計算可參考下文的“MOS管損耗的8個組成部分”部分。 ... 值— 即乘以匝比， Ib 為變壓器初級側繞組層間寄生電容在MOSFET 開關開通瞬間釋放的電流) 。

#49. CN1654967A - 电阻值计算方法

根据电源配线的电阻值(Rline)、去耦电容的电阻值(Rcap)及晶体管的电阻值(Rmos)， ... 关于这些配线电阻计算模块32、去耦电容电阻计算模块33、及MOS电阻计算模块34，在 ...

#50. GaN基MOS结构的电容特性分析 - 氮化镓器件

MOS电容 是MOS器件的重要组成部分，与器件的稳定性和可靠性息息相关； ... MOS器件的氧化层厚度可由公式(2-7)计算，其中A为器件的电容面积，ε0为真空介 ...

#51. AN-1338 应用笔记

UV引脚迟滞为60 mV，因此上升阈值还可计算如下：. 如有需要，还可在UV引脚上加一个去耦电容。该电容可 ... 入电容(CISS)等数值一般可在MOSFET数据手册的技术规格.

#52. MOSFET 和IGBT 栅极驱动器电路的基本原理 - 德州仪器

必须根据所需电荷计算. 特定应用的相关平均电容，以确定各电容器上的实际电压变化。对于大多数功率MOSFET，近似值如公式. 5 所示。 (5). 下一个要提到的重要参数是栅极 ...

#53. 第29 卷第6期1980 年6 月 - 物理学报

本文指出在表面产生速度可以看作常数的情况下,用线性电压扫描MOS 电容测硅的产生 ... 生速度是常数的情况下,分析了三角波扫描法测产生寿命和表面产生速度的方法,但计算.

#54. 安捷倫科技- 參數量測手冊第三版 - Keysight

計算 三元件電容器模型值. ... 高功率MOSFET 電容量測基礎概論. ... 這個解決方案使用示波器來量測旁路電阻器上的電壓，以計算流過DUT 的電流。

#55. 電阻電容(RC) 時間常數計算器 - DigiKey

輸入電壓、電容量以及負載電阻值，即可計算電阻電容電路的電阻電容(RC) 時間常數。

#56. mos 電容MOSFET動態輸出電容特性分析 - Prxbri

MOS 的C-V曲線要用Hspice去模擬它的高頻電容，改變不同氧化層厚度，過程包括標準晶 ... mos電容－第1頁想請問一下layout mos電容值的計算方法不太懂位什麼mos能夠製作成 ...

#57. 干货｜牛人居然把功率MOS剖析成这样，很难得的资料！ - 腾讯

功率MOSFET 正向截止时可用一电容等效，其容量与所加的正向电压、环境温度等有关， ... （A）：根据电源规格，计算所选变换器中MOSFET 的稳态参数：.

#58. 第一章類比設計導論

飽和MOSFET做為連接汲極和源極之電流源，將電流送至接. 地端或由V ... MOS元件做為電容器之特性 ... (a)負載一電流源之差動對；(b)計算G m. 之電路；. (c)計算R.

#59. 干货| 工程师必读开关电源MOS的8大损耗|二极管|电容 - 网易

在器件设计选择过程中需要对MOSFET 的工作过程损耗进行先期计算（所谓先期计算是指在没能够测试各工作波形的情况下，利用器件规格书提供的参数及工作电路 ...

#60. mosfet 公式電源工程師指南：大功率電源中MOSFET功耗的計算

解讀MOSFET與IGBT的各種區別，這仍然是對驅動損耗的樂觀估計，輸入端的電容將會很大，簡單講就是(Vgs – Vt)Vds 與Vds ^ 2 在計算是時存在有兩倍的關係至於一個是乘以2， ...

#61. mos 電阻公式

選好額定電流後，還必須計算導通損耗。在實際情況下，MOSFET並不是理想 ... MOSFET的寄生電容MOSFET在構造上存在有下圖般寄生的静電容量。下圖雖然以N-ch MOSFET為例， ...

#62. 纳米器件沟道超薄栅介质电容测试方法 - Google

此外，由于超小沟道电容的直接测试困难，通常需要特殊器件测试结构，例如在晶片上制作数百串并联的晶体管从而增大测试的等效电容然后通过计算得出实际要测量的MOS ...

#63. MOSFET的设计选型 - 医疗电源|医疗电源适配器|通讯电源|东莞 ...

根据电源输入规格，结合电源电路，可以通过变压器参数计算出MOSFET的最高电压，确定漏极至源极间 ... 考虑到走线分布电容的影响，这个电阻要尽量靠近MOSFET的栅极。

#64. MOS器件的电容及电阻计算_tdyang - 博客- 新浪

MOS 器件的电容及电阻计算. MOS集成电路是由扩散层，介质层，多晶硅及金属层等组成的一个复杂系统，每一层上的寄生电阻，层与层之间的电容成为分析电路 ...

#65. GET！ 如何计算MOSFET非线性电容 - 电子工程世界

虽然这极大地降低了R DS(ON) 和结电容，但电荷平衡使后者非线性进一步加大。MOSFET 有效储存电荷和能量减少，而且显著减少，但计算或比较不同MOSFET ...

#66. MOS | MCU加油站

寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。 在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管 ...

#67. 寄生電容計算

寄生電容計算. 由於使MOSFET動作必須驅動（charge充電）此電容，因此Ciss是討論輸入功率元件驅動能力或損失時的參數。. 而驅動（charge充電）Ciss所需要的電荷量則 ...

#68. [转] 高频mos 选择需要考虑相关资料- ramlife - 博客园

以上所算的都是大概值，因开关损耗的算法比较繁琐，这就不算了，好多电源资料上都有。米勒电容主要影响开关速度，他里边所存的电量会和变压器漏感，还有 ...

#69. MOSFET密勒效應的計算與分析 - GetIt01

假設N溝道MOSFET的漏源之間存在電容Cds，Cds充滿電。 此時在柵極加電壓，則Ugs瞬間變為Vg並保持不變；MOS管打開，Cds開始放電， ...

#70. [問題] MOSFET一些電性參數計算- 看板Electronics

一般MOSFET掃過Vgs以後就可以得到一些電性參數, 像: 場效遷移 ... W/L元件參數也為已知, Cox單位電容為ε/t, t氧化層厚度也為樣品參數已知, ε=εoεr, ...

#71. 高速與高熱穩定氮化鎵金氧半場效電晶體

近年來，金屬氧化物半導體(MOS,. Metal Oxide Semiconductor)的電晶體，挾著 ... 來量測MOS 二極體之電流-電壓曲線圖,如 ... 需要計算起始電壓，定義在MOS 電容中的.

#72. 請問如何計算MOS輸入電容

請問該如何計算或者如何從SPICE模擬中知道某一點看進去的電容值? 事實上我是想知道從GATE端看進去的電容值謝謝. Cin = Cgs + Cgd (D and S short)

#73. 功率MOSFET选型指南（第一部分） ---朱鹏

2015年2月11日 — MOSFET的ID都是经过计算得出，该值受到内部搭线、导通阻抗、和封装 ... 统来说，整个系列里面电容寿命是受温度影响最大的器件，也是整个系统最.

#74. 功率MOSFET的開關損耗計算方式是什麼？開關損耗的主要引數 ...

開透過程中，從t0時刻起，柵源極間電容開始充電，柵電壓開始上升，柵極電壓為: 其中: τ=(Rg +Ron)○Ciss，VGS為PWM柵極驅動器的輸出電壓，Ron為PWM柵極 ...

#75. mosfet 公式

表3.1.1 為N 通道增強型MOSFET，各種狀態下的電流電壓公式。 ... MOS 導通耗計算公式說明： Rds(on) 會隨Ids(on)(t) 值和器件結點溫度不同而有所不同，此時的原則是 ...

#76. BUCK電路電感電容計算_其它 - 程式人生

buck效能指標. 輸入400V，輸出200V，紋壓小於1V. buck工作原理. 分析該電路是在該電路穩態下分析，並假定電路無損耗，負載為電阻；. 穩態是指在mos管 ...

#77. mos管寄生电容是什么看了就知道

寄生电容是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于 ... 在计算中我们要考虑进去。 ... mos管寄生电容是什 2020-10-09 25422.

#78. MOS的Surface potential之探討 - 9lib TW

當在MOS 電容上外加一個電壓時，在半導體之中接近氧化物－半導體界面的能帶將會彎曲。在氧化物－半導體界面處，傳導帶及價帶相對於費米能 ... 2-1 表面電位概說及計算.

#79. HM1483E

持RT 的引脚电压典型值0.6V，当RT 的电阻下降时工作频率则会上升，计算公式可参照以下： ... 栅极充电电流是开启和关闭内部功率MOSFET 开关管对栅极电容充电的结果。

#80. mos電流公式– 電流安培計算公式 - Viniske

mos 電流公式– 電流安培計算公式 ... [問題] MOSFET一些電性參數計算 ... 相同閘極電壓且相同元件尺寸下，影響汲極電流大小的因素包括了臨界電壓ヽ遷移率和絕緣層電容。

#81. 文件名稱FP6186 設計指導手冊

a、設定BS 電容. 此電容為提供High Side MOS 的Vgs 電壓用，只要接一個10nF 電容對. SW 即可。 b、分壓回授. 依照之前我們說過的計算方法，我們求得R2=16K、R4=6.2K。

#82. 如何计算MOS管的寄生电容- 微波射频技术问答

在电路中，用MOS管接地或者接电源来做电容，请问这种MOS管电容的大小怎么计算呢? 主要是Cox和Cov这两种电容如何计算?在Cadence里用Model Parameters 来查看，

#83. 这28个MOSFET应用问答，工程师随时可以用得上！ - 电路城

具体的计算步骤是：设定最大的浪涌电流Ipk，最大的输出电容Co 和上电过程中输出负载Io。如果是输出电压稳定后，输出才加负载，则取：Io=0。

#84. [半物XVBA] Flat Band Voltage. 一份MOS 結構的C-V ... - Medium

一份MOS 結構的C-V 圖（電容vs. 電壓）可經由物理公式的轉換推出其平帶電壓（Flat Band ... “Display” 用來顯示各個參數計算值及紀錄csv 路徑位置.

#85. 处理MOSFET非线性电容-EDN 电子技术设计

电荷平衡技术最初是为能够产生超结（superjunction）MOSFET的高电压器件而开发的，MOSFET中的有效存储电荷和能量确实减少了，但计算这些参数或比较 ...

#86. MOS管柵極驅動電流計算 - 台部落

我們知道MOS管是電壓控制的，從理論上MOS管電流爲零。但是半導體不是理想器件，不可避免的會存在一些寄生參數。 閱讀LT芯片手冊可以知道，柵極驅動 ...

#87. Mos管驱动电流计算方法？ - 电子设计论坛

根据Qg计算。但Qg并非栅极电容，而是包括米勒效应在内栅极充电总电量(Total Gate Charge)。 从你的“公式I=Qg/t”来看，Qg也不具有电容量纲。

#88. mos 電阻公式– 電阻公式截面積 - Netsdeer

mos电容 显出较强的电压控制特性，图显示的是nmos作为电容世道容值曲线图，当gate相对于衬 ... 使用DigiKey 的並聯和串聯電阻計算器，計算電路的整體並聯和串聯電阻值。

#89. MOSCAP 一维模型教学案例 - COMSOL

金属-氧化物-硅(MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块，其电容测量法可以 ... 本教学案例构建了一个简单的MOS 电容器(MOSCAP) 一维模型，计算低频和高频C-V 曲线。

#90. 【科普】主機板供電能力解析@電腦應用綜合討論精華區

這篇不會有太多深奧的電子學理論，僅快速帶入基礎知識和計算方法，只要 ... 擁有完整的MOS Driver、MOS 上下橋、電容與電感，且不與其他相電處於同一 ...

#91. 再谈米勒平台和线性区：为什么传统计算公式计算超结MOSFET ...

VDS和VGD电压变化共同产生抽取电流，将G极驱动电源所能提供的最大电流通过米勒电容CGD（Crss）基本上完全抽取干净，CGS几乎没有充电的电流，驱动电流全部 ...

#92. 电源工程师指南：大功率电源中MOSFET功耗的计算 - Maxim ...

本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤，并通过多相、同步整流、降压型CPU核电源 ... 其中CRSS是MOSFET的反向传输电容(数据资料中的一个参数)，fSW为开关 ...

#93. LED驅動電源設計，至少需要考慮的五大關鍵點

驅動晶片的*電流來自於驅動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導通時 ...

#94. 开关电源设计PFC 功率因素校正——输出电解电容和MOS计算

#95. MOSFET做电容- Analog/RF IC 设计讨论 - EETOP

想用mos管做个电容1pF ，应该如何计算我的管子的W/L呢？还有如何对这个mos电容进行仿真确定我的电容值是否正确呢？谢谢！ ... MOSFET做电容,EETOP 创 ...

#96. 功率MOSFET管選擇注意事項 - 研發互助社區

實際上，CEI的值比CISS高很多，必須要根據MOSFET生產商提供的柵極電荷（QG）指標計算。 QG是MOSFET柵極電容的一部分，計算公式如下： QG = QGS + QGD + QOD 其中：

#97. 利用示波器量測電源供應器切換損耗 - Tektronix

時，MOSFET 汲極與源極間的寄生電阻便會消耗功率。 ... MOSFET 中的閘極- 汲極電容) 會防礙切換裝置立即 ... 號所計算出的值，所以訊號務必要與進行適當的時. 間校準。

#98. MOSFET 的CV 曲线仿真方法 - Return To Innocence | 事如春梦 ...

下图是实现MOSFET C-V 曲线的仿真的具体电路（图中加上的电容C1 仅为方便 ... 时计算栅节点的所有电容, 得到的结果与上面ac 分析的方法也是一致的, ...