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#1. 亞閾值擺幅(Subthreshold swing)是MOSFET在亞閾狀態工作時
亞閾值擺幅(Subthreshold swing)是MOSFET在亞閾狀態工作時、用作為邏輯開關時的一個重要參數， 又稱為S因子，它定義為:S = dVgs / d(log10 Id)，單位是[mV/dec]。
了次臨界斜率(subthreshold swing)ヽ臨界電壓(threshold voltage)ヽ電導 ... 次臨界斜率的定義為當汲極電流增加十倍時所需要增加的閘極電壓，.
#3. 亞閾值擺幅 - 中文百科知識
簡介亞閾值擺幅（Subthreshold swing）， 又稱為S因子。這是MOSFET在亞閾狀態工作時、用作為邏輯開關時的一個重要參數，它定義為： 亞閾.
#4. 亞閾值電流 - 中文百科全書
亞閾值擺幅（Subthreshold swing）， 又稱為S因子。這是MOSFET在亞閾狀態工作時、用作為邏輯開關時的一個重要參數，它定義為：. S = dVgs / ...
#5. Subthreshold slope - Wikipedia
The subthreshold slope is a feature of a MOSFET's current–voltage characteristic. In the subthreshold region, the drain current behaviour – though being ...
#6. 亚阈值摆幅（Subthreshold swing） - 简书
亚阈值摆幅（Subthreshold swing）， 又称为S因子。这是MOSFET在亚阈状态工作时、用作为逻辑开关时的一个重要参数，它定义为：. S = dVgs / d ...
#7. 金氧半電晶體（MOSFET）
理想的MOS二極體定義（續）. 於任意偏壓下，二極體裡的電荷只有 ... 定義：使半導體區之能帶無彎曲所施加的閘極電壓。 ... 定義次臨界擺幅(subthreshold swing)：.
#8. [問題] MOSFET一些電性參數計算- 看板Electronics - 批踢踢 ...
那這樣文獻上常說元件的遷移率是多少所帶的Vgs或其他電壓有一定的定義嘛~ 還是 ... 最後一個次臨界擺幅(Subthreshold swing, SS) δVgs ∣ SS=—————∣ ...
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#10. 亚阈值电流及亚阈值摆幅/阈值电压-KIA MOS管 - 场效应管
亚阈值摆幅（Subthreshold swing）， 又称为S因子。这是MOSFET在亚阈状态工作时、用作为逻辑开关时的一个重要参数，它定义为：.
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#13. 虛擬基板錯含量對應變矽元件電性影響之研究- 林忠雄、康定國
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#14. 亚阈值电流的定义亚阈值电流的概述及亚阈值摆幅 - 知了网
定义. 在MOS管理想的电流-电压特性中，当Vgs小于Vt 时，漏极电流Id 为0。而实际情况是，当Vg<Vt 时，MOS晶体管 ... 亚阈值摆幅(Subthreshold swing)， 又称为S因子。
#15. subthreshold-swing - 必应词典 - Bing
必应词典为您提供subthreshold-swing的释义，网络释义： 次临界摆幅；次临界斜率；次臨界导通斜率；
#16. 次臨界擺幅
定義 次臨界擺幅(subthreshold swing) ： S 越大，表示I D 隨V G 的變化越小， on-off 特性不明顯； S 越小，表示I D 隨V G 的變化越大， on-off 特性顯著。 PDF 檔案.
#17. subthreshold swing公式 話題討論 - winXmac軟體社群
subthreshold swing 公式話題討論、資訊整理文章，了次臨界斜率(subthreshold swing)ヽ臨界電壓(threshold voltage)...,軟體教學,軟體下載,軟體社群,Windows軟體,Mac ...
#18. 當年度經費： 3000 千元 - 政府研究資訊系統GRB
在室溫且理想的條件下，次臨限擺幅(Subthreshold Swing)最低只能下降到60 mV/decade，考慮到功率損耗以及關閉時的漏電流，未來元件尺寸進一步縮小時候會遭遇到瓶頸。
#19. 「臨界電壓定義」+1
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#20. 這種新型電晶體有望替代傳統矽器件？ - 每日頭條
其中，次臨界擺幅（subthreshold swing）的定義為當汲極電流增加十倍時，所需要增加的柵極電壓，是衡量電晶體開、關狀態相互轉換的速率的一項重要性能 ...
#21. 介電質之電荷捕獲分析 - 電子工程學系|
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#22. threshold voltage是什麼意思 - 海词词典
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#23. S 定義： 閾下擺動-Subthreshold Swing
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#24. subthreshold swing formula :: 軟體兄弟
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#25. 在"英语"词典里subthreshold}的意思
在英语词典里带使用范例的subthreshold含义subthreshold的近义词 ... 点击查看«subthreshold»在英语词典里的原始定义。 ... subthreshold slope definition.
#26. Analysis of coupling effect on differential multiple-time ...
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#28. subthreshold翻譯及用法- 英漢詞典 - 漢語網
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这个斜率的倒数叫做亚阈摆动(sub-threshold swing)或者亚阈斜率(subthreshold slope)，其定义式如下： 亚阈摆动S表示弱反型区中漏极电流变化1个数量级所需求的栅极-源 ...
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#88. 次臨限斜率英文，subthreshold slope中文 - 三度漢語網
中文詞彙 英文翻譯 出處/學術領域 次臨限斜率 subthreshold slope 【電子工程】 臨限頻率 threshould frequency 【電機工程】 次臨限(S‑因數) sub‑thresholding (S‑factor) 【電子工程】
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#90. 亚阈值摆幅（Subthreshold swing） - 桃丽网
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#91. subthreshold slope 中文 - 查查在線詞典
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#92. mos管漏极电流电压与什么有关 - 穆森网
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#93. Sub Threshold slope - YouTube
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一般MOSFET掃過Vgs以後就可以得到一些電性參數, 像:
場效遷移率(mobility)μ
轉導係數Gm等等.
MOSFET通道的電流為:
Ｗ １ 2
Ids = μCox－[(Vgs-Vth)Vds-－Vds]
Ｌ ２
______
假設我今天在Vds=0.1V下掃Vgs ↑ 所以這一項夠小把它忽略掉變成:
Ｗ
Ids = μCox－(Vgs-Vth)Vds
Ｌ
所以固定Vds掃完Vgs後 Ids Vgs Vth Vds都有數值,
W/L元件參數也為已知,
Cox單位電容為ε/t, t氧化層厚度也為樣品參數已知,
ε=εoεr, (εo真空介電常數: 8.85x10^-12 F/m)
今天我的氧化層是Si02
所以我可以查表找出εr(無單位)帶回,
這樣我的單位變成:
Ｆ １ 2
I = μ‧－‧－‧1‧V
ｍ ｍ
2
μ的單位是 m / V‧s, 所以數值直接帶回因次...對嘛?
例如我今天在Vds=0.1V下掃Vgs
在Vgs=1V時我的Ids=1.8x10^-7A
W/L為15/4, 氧化層厚度為300nm
Vth為-1V
所以數值帶回
3.9x8.85x10^-12F/m 15
1.8x10^-7A=μ‧‧—‧(1-(-1)V)‧0.1V
300x10^-9m ４
-3 2 2
所以μ=2.086x10 m / V‧s= 20.86 cm / V‧s
這樣計算對嗎?
所以我在計算元件的遷移率帶不同的Vgs值我的遷移率就不盡相同吧...?
那這樣文獻上常說元件的遷移率是多少所帶的Vgs或其他電壓有一定的定義嘛~
還是數量級差不多大家都不態計較
另外想問ε介電係數國內有沒有地方可以查,
像是國科會中研院教育部這類機構,
因為每種材料ε各個網站都不盡相同,
當然有些ε會因材料幾何尺寸有關所以各個網站不同也正常,
只是想問國內有沒有網站資料比較完備可以查~
再來如果我有了遷移率μ,
接著求轉導Gm:
δIds ∣ Ｗ
Gm=—∣ = —μ‧Cox‧Vds
δVgs ∣Vds=const. Ｌ
只要將數值分別帶入應該就ok了吧?!
最後一個次臨界擺幅(Subthreshold swing, SS)
δVgs ∣
SS=—∣
δlog(Ids)∣?? <= 條件是min嘛
所以求法是我去把取semi-log的數據Vgs-log(Ids)做微分,
然後得到最小的值就是我的SS嘛?
我知道這些問題好像蠻基本的,
不過以前沒啥在碰FET,
查課本都是在算一些小訊號分析為主,
問有些實驗室的 他們都一台semiconductor analyzer參數設一下,
訊號掃一下這些值都有,
所以想來這邊請益一下!
我手邊p幣不多,
如果有幫忙解答到的就送個100P(稅前)作答謝囉~
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 125.230.92.159
※ 編輯: cd20124 來自: 125.230.92.159 (06/12 09:07)
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