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作者jsp0520 (Enzo)看板Electronics標題Re: [問題] BJT和MOS的在B(G)的偏壓時間Wed Jul 13 16:15:52 2011 ※ 引述《hadbeen (你在哪)》之銘言： : BJT的電流公式Ic=Is*e^(Vbe/VT) : 如果我直接把直流I電流打進C極 E接地 : B極接一個電阻(不要讓B極和地短路)再接地的話 : 由公式逆推得Vbe("如果"bjt流I的話 Vbe應該是如此如此) : 但B極實際上真的會產生電壓嗎?(還是說這是一種可行的偏壓該BJT的方式?) : 課本上在講BJT的一般運作時都是 BE接面正偏壓 CB接面逆偏壓 : 在還沒產生這樣的推動載子偏壓條件時(如上直接打直流電流) 也會有Ic或Vbe? 理論上是會先讓 Collector-Base junction 發生崩潰, 以容許大電流通過 通常會有一個觸發的電流值, 如果不到接面就不會崩潰, 電流灌不進去 假設電流夠大也發生崩潰了, 這個電流程上base端R的跨壓將會turn-on BJT 使其進入順偏但holding電壓小的狀態 這其實就是ESD常講的snapback I-V curve : 一樣的情況看NMOS Id=XXXX*(Vgs-Vt)^2 大概公式長這樣 不考慮通道會縮的情況 : 直接把直流電流I打到D極 B接地 S接地 : G極接一個電容再接地的話 亦可由公式推得Vgs("如果"mos流I的話 Vgs應該是如此如此) : 但G極實際上真的會產生電壓嗎? 不是要先產生通道才會有Id嗎? : 通道還沒產生就先打電流給mos mos就會買單嗎?0.0? : 把值帶到公式裡反推電壓 都是先假設"如果它導通的話" : 但是實際的電子元件它真的會導通嗎?如果導通的話機制是什麼? : 由電壓到電流的機制課本有說 但由電流到電壓的機制(如果存在的話)是? : ps.直流電流I如果打不進去元件的話 會把自己關掉(它是活生生實際的電流源) 同上, 當電流大的某種程度(Itrig), 將會使 Drain 跟 Bulk 之接面發生崩潰 而 Bulk 的寄生電阻也將會因為有大電流的大跨壓(等效VGS)產生, 去 turn-on MOSFET (跨壓是由於 internal 的 potential 不同) 基本上上面的公式就像上一篇講的 是在電晶體正常操作下去描述電流電壓關係的方程式 但原PO所提出的例子並不屬於正常的偏壓狀態 自然需要用另一種角度去思考 像這種 gate 接 一個電阻再接地, 在ESD中通常稱為 GGNMOS (grounded-gate NMOS) 電阻是用來保護 oxide 的 個人淺見 -- 我想要什麼 是有你的風景 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ◆ From: 114.32.239.208 推 BruceAWooley:是齁 07/14 02:40 ... <看更多>
mosfet 崩潰機制 在 Re: [問題] BJT和MOS的在B(G)的偏壓- 看板Electronics 的必吃
※ 引述《hadbeen (你在哪)》之銘言：
: BJT的電流公式Ic=Is*e^(Vbe/VT)
: 如果我直接把直流I電流打進C極 E接地
: B極接一個電阻(不要讓B極和地短路)再接地的話
: 由公式逆推得Vbe("如果"bjt流I的話 Vbe應該是如此如此)
: 但B極實際上真的會產生電壓嗎?(還是說這是一種可行的偏壓該BJT的方式?)
: 課本上在講BJT的一般運作時都是 BE接面正偏壓 CB接面逆偏壓
: 在還沒產生這樣的推動載子偏壓條件時(如上直接打直流電流) 也會有Ic或Vbe?
理論上是會先讓 Collector-Base junction 發生崩潰, 以容許大電流通過
通常會有一個觸發的電流值, 如果不到接面就不會崩潰, 電流灌不進去
假設電流夠大也發生崩潰了, 這個電流程上base端R的跨壓將會turn-on BJT
使其進入順偏但holding電壓小的狀態
這其實就是ESD常講的snapback I-V curve
: 一樣的情況看NMOS Id=XXXX*(Vgs-Vt)^2 大概公式長這樣 不考慮通道會縮的情況
: 直接把直流電流I打到D極 B接地 S接地
: G極接一個電容再接地的話 亦可由公式推得Vgs("如果"mos流I的話 Vgs應該是如此如此)
: 但G極實際上真的會產生電壓嗎? 不是要先產生通道才會有Id嗎?
: 通道還沒產生就先打電流給mos mos就會買單嗎?0.0?
: 把值帶到公式裡反推電壓 都是先假設"如果它導通的話"
: 但是實際的電子元件它真的會導通嗎?如果導通的話機制是什麼?
: 由電壓到電流的機制課本有說 但由電流到電壓的機制(如果存在的話)是?
: ps.直流電流I如果打不進去元件的話 會把自己關掉(它是活生生實際的電流源)
同上, 當電流大的某種程度(Itrig), 將會使 Drain 跟 Bulk 之接面發生崩潰
而 Bulk 的寄生電阻也將會因為有大電流的大跨壓(等效VGS)產生,
去 turn-on MOSFET (跨壓是由於 internal 的 potential 不同)
基本上上面的公式就像上一篇講的
是在電晶體正常操作下去描述電流電壓關係的方程式
但原PO所提出的例子並不屬於正常的偏壓狀態
自然需要用另一種角度去思考
像這種 gate 接 一個電阻再接地, 在ESD中通常稱為 GGNMOS
(grounded-gate NMOS) 電阻是用來保護 oxide 的
個人淺見
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