關於 gallium nitride 中文 ，我們在網路上蒐集到這些相關的討論、資訊與評價

#11. Gallium Nitride (GaN) FETs | e络盟

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#12. gan[氮化鎵] - 中文百科知識

GaN ，中文名：氮化鎵，常溫常壓下是纖鋅礦結構。是現今半導體照明中藍光發光二極體的核心材料。工業上採用MOCVD和HVPE設備來外延生長。 基本信息中文名：氮化鎵其他 ...

#13. 氮化鎵高電子遷移率場效電晶體在紫外光照射下之低頻雜訊分析

詳目顯示 ; 論文摘要氮化鎵(Gallium Nitride, GaN)材料適合應用於高頻率、高功率，例如:5G、車用電子，因其具有高電子遷移率、高崩潰電壓、寬能隙能量等優點。 ; 中文 · 55.

#14. Gallium Nitride Power Devices | 天瓏網路書店

GaN is considered the most promising material candidate in next-generation power device applications, owing to its unique material properties, for example, ...

#15. 氮化镓-翻译为英语-例句中文 - Reverso Context

使用Reverso Context: 先进的氮化镓（GaN）技术可大幅提高功率和效率，在中文-英语情境中翻译"氮化镓"

#16. gallium nitride - 英中– Linguee词典

大量翻译例句关于"gallium nitride" – 英中词典以及8百万条中文译文例句搜索。 ... 氮化镓(GaN) 让我们发展出新一代的功率切换器件，相比传统的硅 [...].

#17. gallium nitride的繁體中文翻譯 - 英文翻譯

gallium nitride. gallium nitride. 15/5000. 偵測語言, 世界語, 中文, 丹麥文, 亞塞拜然文, 亞美尼亞文, 伊博文, 俄文, 保加利亞文, 信德文, 優魯巴文, 克林貢語 ...

#18. Gallium Nitride Electronics - 博客來

GaN Electronics covers developments in III-N semiconductor-based electronics for high power and high speed RF applications. The book thoroughly examines the ...

#19. 不同感應耦合電漿離子蝕刻條件對於控制沉積在藍寶石基板的氮 ...

近幾年氮化鎵（Gallium Nitride, GaN）材料的研究及其應用範圍正快速的成長， ... 論文名稱(中文):, 不同感應耦合電漿離子蝕刻條件對於控制沉積在藍寶石基板的氮化鎵準 ...

#20. 氮化鎵 - 中文百科全書

氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。

#21. 氮化镓|gallium nitride|25617-97-4 - 物竞化学品数据库

物竞数据库是一个全面、专业、专注，并且免费的中文化学品信息库，为学生、学者、化学品研究机构、检测机构、化学品工作者提供专业的化学品平台进行交流。

#22. GaN Power Devices | 離散式元件| 羅姆半導體集團

GaN (Gallium Nitride) is a compound semiconductor material used in next-generation power devices. It is beginning to see adoption due to its superior ...

#23. 氮化镓(半导体)_搜狗百科

... 为每一个互联网用户创造一个涵盖所有领域知识、服务的中文知识性平台。 ... 半导体. 氮化镓（GaN）是一种具有较大禁带宽度的半导体，属于宽禁带半导体之列。

#24. gallium nitride 中文 - 查查詞典

gallium nitride中文 意思:磷化鎵…,點擊查查權威綫上辭典詳細解釋gallium nitride的中文翻譯,gallium nitride的發音,三態,音標,用法和造句等。

#25. Gallium Nitride (Gan)_伊诺凯

中文 名称：氮化镓. 英文名称：Gallium Nitride (Gan)（中英文品名不符时，以英文品名为准）. 品牌：Adamas. 货号：42047BC. 包装规格：5g. 质量规格：.

#26. 氮化镓场效应晶体管(GaN FET) | Nexperia - 安世半导体

GaN FETs - Efficient and effective high-power FETs Getting the right power density while ensuring the best repetitive Safe Operating Area (SOA) and ...

#27. gallium nitride的中文解释_用法 - 沪江网校

沪江词库精选gallium nitride是什么意思、英语单词推荐、gallium nitride的用法、gallium nitride的中文解释、翻译gallium nitride是什么意思.

#28. Texas Instruments 氮化鎵(GaN) - Mouser

GaN 生態系統支援獨特的全新拓撲結構，還能減少障礙。類比和數位式的GaN FET控制器能流暢無縫地與TI GaN功率級和獨立式GaN FET配對使用。

#29. iCoupler技術為AC/DC設計中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來優勢

GaN 電晶體的開關速度比矽MOSFET要快得多，並可降低開關損耗，原因在於：. 閘極電容和輸出電容更低。 較低的漏源極導通電阻(RDS(ON))可實現更高的 ...

#30. nitride翻譯及用法- 英漢詞典 - 漢語網

英漢詞典提供【nitride】的詳盡中文翻譯、用法、例句等. ... A gallium nitride LED on sapphire has a typical internal quantum efficiency of around 70%.

#31. GaN Systems Inc. | LinkedIn

GaN Systems Inc. | 18208 位LinkedIn 關注者。The leader in Gallium Nitride (GaN) based power management devices, specializing in power conversion.

#32. 第三代半导体材料氮化镓（GaN）或引发充电革命？ - dejaprime

在这个过程中，氮化镓（GaN）近年来作为一个高频词汇，进入了人们的视野。 GaN是一种新型的半导体材料，中文名为氮化镓，英文名称是Gallium nitride。

#33. 實現4吋結晶成長，GaN基板將提早量產 - 材料世界網

三菱化學與日本製鋼所合作研發的氮化鎵(Gallium Nitride; GaN)基板技術，經確認結晶成長已達4吋。氮化鎵係鎵與氮的化合物，是實現超高效率元件的關鍵 ...

#34. PowiGaN 技术| Power Integrations, Inc.

PowiGaN 是Power Integrations自行研发的氮化镓（GaN）技术。在PI高度集成的离线反激式开关IC中，PowiGaN开关替代初级侧的传统硅晶体管，从而降低开关损耗， ...

#35. 氮化鎵

氮化鎵（GaN、Gallium nitride）是氮和鎵的化合物，是一種III族和V族的直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦， ...

#36. Gallium Nitride的折射率 - 薄膜厚度

Gallium nitride (GaN) is a binary III/V direct bandgap semiconductor commonly used in bright light-emitting diodes since the 1990s. The compound is a very hard ...

#37. What is gallium nitride and GaN power semiconductors?

Gallium Nitride is a binary III/V direct bandgap semiconductor that is well-suited for high-power transistors capable of operating at high temperatures. Since ...

#38. 氮化镓基材料的合成研究进展

氮化镓(Gallium nitride)基材料是指元素周期表中Ⅲ-A 族的Al 、Ga 、In 元素与Ⅴ-A ... 类似的还有悬挂外延GaN(pendeo-epitaxy GaN ,PE-GaN),利用 ... 附中文参考文献.

#39. Ammonothermal Growth 氨熱生長

Gallium nitride crystals are grown in ammonothermal growth reactors that requires temperatures in the range of 600–1000 K (620–1340 °F) and pressures in the ...

#40. 氮化镓功率半导体器件技术

ZHANG Bo,CHEN Wanjun,DENG Xiaochuan,WANG Zhigang,LI Zhaoji.Gallium Nitride Power Semiconductor Devices Technology[J].Research & Progress of Solid State ...

#41. Gallium nitride 中文2023-在Facebook/IG/Youtube上的焦點 ...

Gallium nitride 中文 2023-在Facebook/IG/Youtube上的焦點新聞和熱門話題資訊，找egan中文,eGaN FET,宜普在2022年該注意什麼？Gallium nitride 中文在2023的熱門內容就 ...

#42. 氮化鋁鎵/氮化銦鎵薄膜量子點低溫生長研究Research on low ...

中文 摘要. 本計劃使用交替式通入反應氣體方法成功地在低晶格不匹配度. 之Al0.11Ga0.89N薄膜上成長自聚式氮化鎵量子點結構。實驗結果顯示我. 們成長GaN量子點的溫度在 ...

#43. 成都氮矽科技有限公司

氮矽科技拥有来自成都矽能科技和核心技术合作伙伴“电子科技大学功率集成技术实验室”的全力支持，旨在实现中国第三代半导体氮化镓（GaN）在电力电子领域的高速发展。

#44. AMUOK 45W GaN 氮化鎵充電器/旅充頭 - 台灣倍思旗艦店

【產品規格】⭐***商品名稱：AMUOK PD+QC雙孔快速充電器45W輸入電壓：100-240V~50/60Hz 1A輸出功率：45W MaxUSB-A輸出：5V/3A ，9V/2A ，12V/1.5A(Max) USB-C ...

#45. 2023年4款氮化鎵GaN充電器推薦！筆電 - TechTeller (科技說)

Apple iPad Pro、MacBook全系列、iPhone都已支援Type-C的PD快充，擺脫原廠充電器獲得快速充電、方便攜帶及彈性的使用狀況就會是未來消費者著重的部分。 氮化鎵GaN何以興起 ...

#46. SiC 和GaAs 的HEMT、LED、VCSEL 和电力电子器件进行分析

对高性能(光)电、高功率、高频设备的市场需求的日益增长，推动了当今化合物半导体行业的不断发展，以应对新的挑战。氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)是制造大功率电子器件的 ...

#47. 美国ACCDON公司旗下品牌 - SCI论文修改

推荐同事 机构合作 中文 繁體中文 English 한국어 日本語 Português Español. 美国ACCDON公司旗下品牌 ... 中英对照. 氮化镓. gallium nitride. 学科分类.

#48. 成果報告資料顯示 - 工程科技推展中心

中文 計劃名稱, III族氮化物與光致氧化膜之極化場量能階工程研究與光電聲學元件 ... 英文摘要, In the last decades, gallium nitride materials have drawn much

#49. 1.3 kV Vertical GaN-Based Trench MOSFETs on 4-Inch Free ...

In this work, a vertical gallium nitride (GaN)-based trench MOSFET on 4-inch free-standing GaN substrate is presented with threshold voltage of 3.15 V, ...

#50. Item 987654321/236025 - 國立成功大學機構典藏

其他題名: The Growth and Analysis of GaN Quantum Dots and Ga2O3 Nanowires ... gallium nitride;nanowire;quantum dot;gallium oxide.

#51. 氮化镓（GaN）如何实现更小更高效的电源 - CUI Inc

GaN 用作晶体管时，在各主要方面都表现出相较于硅的显著优势，能够帮助电源制造商在大幅提高效率的同时，缩小设备的尺寸和重量。了解详情。

#52. 氮化鎵: 化合物- 维基百科，自由的百科全书- Wiki 中文(Chinese)

氮化鎵（GaN、Gallium nitride）是氮和鎵的化合物，是一種III族和V族的直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦， ...

#53. 氮化鎵

氮化镓(GaN、Gallium nitride)是氮和镓的化合物,是一种III族和V族的直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。 从制造工艺上来说, ...

#54. 氮化镓;gallium nitride;gallium mononitride;物理性质,化学性质,英文名 ...

CAS：25617-97-4 熔点：800℃ 中文名称：氮化镓 英文名称：gallium nitride；gallium mononitride；gallium nitride (gan)；gallium(iii) nitride；galliumnitride

#55. 我们是否进入了氮化镓时代？ - Indium Corporation Blog

规模的缩小可对我们的输电网络产生深刻积极的影响。 由Xing 教授及其同事开发的GaN 功率二极管原理图。图片来源：https://www.engineering.cornell.edu/ ...

#56. Gallium nitride microcavities formed by photoenhanced wet ...

Wang, S.-L. en. dc.creator, Peng, L.-H.; Lu, C.-Y.; Wu, W.-H.; Wang ...

#57. 企業社會責任 - 穩懋半導體

Development of Semi-Insulated Silicon Carbide(S.I.-SiC) Wafer and Gallium Nitride Technology for New Generation RF Communication Application. Since Aug.

#58. 用于增强立方相氮化镓生长的金字塔形四V 型槽硅衬底 - X-MOL

The growth of c-GaN was verified by. ... To further promote the cubic phase of GaN, the growth conditions of GaN were also ... 中文翻译： ...

#59. GaN - Scientific Visual

氮化镓及其与铟( In )和铝( Al )的相关合金是常用于高亮度发光二极管( LED )和激光二极管等光电应用的材料。这是因为它们的发射波⻓复盖了从深紫外( DUV )到可⻅光到近 ...

#60. 氮化镓(GaN) - 化合物半导体

氮化镓(GaN). 高频特性，可以达到300 GHz 高温特性，在300°C正常工作(非常适用于航天、 军事和其它高温环境) 电子漂移饱和速度高、介电常数小、导热性能好

#61. 高頻及高功率氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體製作與分析

中文 摘要本論文中，將介紹製作於高阻值矽基板(111)上的氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電 ... and Analysis of High Frequency and High Power Density AlGaN/GaN HEMT.

#62. TI與群光電能聯手將GaN解決方案導入節能筆電電源供應器

德州儀器（TI）（納斯達克股票代碼：TXN）做為高壓半導體解決方案的領導者，日前宣布群光電能（群電）（台股代碼：6412）於其最新款65W NB電源供應 ...

#63. 氮化鎵- 最新文章 - 關鍵評論網

氮化鎵（GaN、Gallium nitride）是氮和鎵的化合物，是一種III族和V族的直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極體中。 --來自維基百科 ...

#64. 鐵電氧化鉿鋯於環繞式閘極電晶體(GAA)及用於疊接氮化鎵高 ...

第二部分探討GaN 高電子遷移率電晶體(HEMT)的元件特性。 ... 接氮化鎵高電子遷移率電晶體(HEMT) Ferroelectric HfZrO2 for GAA-FET and GaN HEMT Cascode Application ...

#65. nitride是什么意思nitride的翻译、中文解释 - 下午有课

翻译:正好也使用氮化镓。 来源：英英汉-英英汉词典. 2.氮化物. 例句:This is all about gallium nitride. 翻译 ...

#66. Gallium nitride

Aladdin offers a number of Gallium nitride,Gallium mononitride products. View information & documentation regarding Name.

#67. Gallium Nitride Circuit Board - [GC++]Gregica++ - MC百科

Gallium Nitride Circuit Board资料的介绍页面，此资料来自模组[GC++]Gregica++，我的世界MOD百科，提供Minecraft(我的世界)MOD(模组)物品资料介绍教程攻略和MOD下载。

#68. GaN VS普通電池充電器：了解它們的不同之處 - Neway

GaN VS普通電池充電器：了解它們的不同之處. 通過蔡卓妍（Carrie Tsai），最後更新：29年2020月XNUMX日TIPS. 最近，隨著越來越多的由氮化鎵製成的電池 ...

#69. 什么是GaN充电器, 以及为什么要一个?

这种现代的硅替代品意味着更小, 更高效的充电器和电源砖即将问世. 运作方式如下. 氮化镓充电器的优点. GaN充电器在物理上小于电流充电器. 这是因为 ...

#70. The substantial benefits of silicon carbide (SiC) and gallium ...

Silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) are two semiconductor materials that are creating a significant shift in the power ...

#71. 群光電能攜手德州儀器導入整合式GaN 解決方案打造新型節能 ...

群光電能（群電）(台股代碼：6412）今日宣布攜手德州儀器（TI）（納斯達克股票代碼：TXN）成功推出第一款搭載TI 高整合式氮化鎵（GaN、Gallium nitride） ...

#72. TCAD Investigation of Total Ionizing Dose (TID) Effects on ...

Gallium Nitride (GaN) based devices such as the High Electron Mobility Transistors (HEMTs) find wide applications in RF and Power domain.

#73. GaN研磨拋光，自動化系統整合解決方案

GaN 研磨．精磨．CMP機台. 三機一體式，多功能精磨系統; 為滿足下一代材料「寬能隙半導體」製程應用而設計; 多工序、精簡設計，節省空間， 可彈性調整滿足客戶特定製程 ...

#74. 一文看懂氮化镓- - 电子工程专辑

对于GaN，中文名氮化镓，我们实在是听得太多了。 ... 基于GaN 功率芯片的充电器充电速度比传统硅充电器快高三倍，但尺寸和重量，甚至只有后者的一半。

#75. 發明專利說明書

住居所或營業所地址:(中文/英文) ... 包括AlGaN/GaN高電阻遷移率電晶體(HEMT)之基於GaN ... nitride/gallium nitride high electron mobility transistors.

#76. Validating Wide Bandgap Devices - Tektronix

SiC and GaN Introduces New Testing Challenges. The rising use of Silicon Carbide (SiC) and Gallium Nitride (GaN) to improve data center power efficiency, ...

#77. GaN Devices Power the Next Generation of LiDAR Systems

GaN drivers – switching faster than today's technology · Nanosecond Laser Driver Reference Design for LIDAR. 1. The latest automotive LiDAR systems provide a ...

#78. 氮化鎵GaN是什麼？氮化鎵充電器的介紹與應用懶人包

由於氮化鎵GaN具有體積小、高功率、散熱佳、耐高溫等特性，特別適合應用在高頻率、高效率的電子產品，相較於過去由碳化矽製成的充電器，氮化鎵GaN充電器 ...

#79. Gallium Nitride (GaN) FETs | Farnell Austria

Buy Gallium Nitride (GaN) FETs. Farnell Österreich offers fast quotes, same day dispatch, fast delivery, wide inventory, datasheets & technical ...

#80. “InGaN”是“Indium Gallium Nitride”的英文缩写，意思是“氮化铟镓”

英语缩略词“InGaN”经常作为“Indium Gallium Nitride”的缩写来使用，中文表示：“氮化铟镓”。本文将详细介绍英语缩写词InGaN所代表英文单词，其对应的 ...

#81. Navitas - 文曄科技|

Founded in 2014, Navitas develops ultra-efficient gallium nitride (GaN) semiconductors that are revolutionizing the world of power electronics in terms of ...

#82. 如何在功率半導體-氮化鎵(GaN)switching狀態下執行動態測試？

如何在元件switching狀態下執行功率半導體/寬能隙半導體材料-氮化鎵(GaN)測試？本文要跟您分享我們的氮化鎵(GaN)動態參數分析儀及元件動態可靠度分析 ...

#83. GaN FET有多夯？ - 電子技術設計

但由於600伏特電壓環境下，以矽為主材料的MOSFET，其切換雜訊(Switching Noise)較高，因此給予氮化鎵(GaN)進入高壓電源應用市場的機會。

#84. 化合物半導體功率元件之產業專利分析

產業調查中文檢索策略. Searching Query : 檢索策略. 家族案數: 1957. GaN 英文檢索 ... ((氮化鎵OR 鎵氮OR gallium nitride OR GaN OR 寬能隙OR 寬.

#85. 第三代半导体材料之氮化镓（GaN） - 北京国瑞升

第三代半导体即宽禁带半导体，以碳化硅和氮化镓为代表，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，切合节能减排、智能制造、 ...

#86. 國家教育研究院-化學名詞-無機化合物 - SheetHub.com

英文名稱, 中文名稱, 化學式 ... 57734438, gallium arsenide, 砷化鎵(III), GaAs ... 57734443, gallium nitride, 氮化鎵{一氮化一鎵}, GaN.

#87. 氮化镓是未来的硅吗？及GaN（氮化镓）材料特性介绍 ...

氮化镓是未来的硅吗？及 GaN （氮化镓）材料特性介绍（Youtube机翻 中文 视频原视频在P6 P7 P8 ,P2是原英文翻译介意勿看！请绕道谢谢！) Dljayman.

#88. Wolfspeed: Silicon Carbide Power & GaN RF Solutions

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) components are engineered to deliver groundbreaking systems that do more while using energy more efficiently.

#89. GaN氮化鎵是什麼？有哪些應用？GaN氮化鎵的特色介紹為什麼 ...

充電器,電動車,半導體,5G,快充,GaN,SiC,氮化鎵,第三代半導體,GaN充電器 ... 這些特性讓GaN被應用在變壓器和充電器的領域，使用GaN元件的充電器能夠 ...

#90. Spigen Announces ArcStation Pro GaN Wall Charger Series

Spigen ArcStation Pro GaN Wall Charger series is now available. With Spigen Power Quality Technology, it minimizes ripple & noise that ...

#91. The Official Website of GANCUBE

Its products also won prizes and reputation all over the world. The GANCUBE official site with BEST GAN products and premium customer services in GANCUBE ...

#92. Qorvo - Qorvo

Go to Discrete Transistors · GaAs pHEMTs · GaN HEMTs · SiC FETs · SiC JFETs ... About Us · Quality · Locations · Innovation · Careers · Investors · 简体中文 ...

#93. Radio Frequency Power Amplifier (RFPA) - TS2 Space

These characteristics make GaN HEMTs particularly well-suited for high-power, high-frequency applications, such as radar systems and satellite ...

#94. Transphorm Announces Appointme - GuruFocus.com

Transphorm%2C+Inc. (NASDAQ: TGAN)—a pioneer in and global supplier of high-reliability, high-performance gallium nitride (GaN) power ...

#95. SIP-4768SD-03-1472DF - Datasheet - 电子工程世界

nitride with passivation. oxide layer. Copper leads. electroplated. with gold over. nickel, hot. Thermal compression. tinned leads. bonded lead. available.

#96. 意法半導體與台積公司合作加速市場採用氮化鎵產品

客戶遍及電子應用領域的全球半導體領導廠商意法半導體與全球專業積體電路製造服務領導者台積公司攜手合作加速氮化鎵（Gallium Nitride, GaN）製程技術 ...

#97. Research Portal 科技政策觀點 NO.5 - 第 130 頁 - Google 圖書結果

... Oskay 版權適用聲明:姓名標示摘要 Abstract 氮化鎵(GaN)作為寬能隙半導體材料, ... Nitride(GaN) https://portal.stpi.narl.org.tw/index/article/10335 中文關鍵 ...