作者unfree (有愛的世界)
看板Tech_Job
標題[心得] 半導體黃光製程工作內容分享-end
時間Mon Apr 30 20:36:51 2012
(六-2)
AIO (all in one) (or CDBAR in implant layer) 是每張光罩上一定會有的pattern,
上面有所需要的常見pitch,常被使用來偵測Eop/Fop或是與active region內的CD作
correlation.但是略有經驗的Eng.也常將其拿來當作判斷光罩與底層film均勻度的
依據.在這裡要指出,photo在integration or OPC出新光罩時,要在光罩上有不只一組
AIO,最好四個角落都有.假設今天的光罩不均勻,在bare silicon上曝出來的CD就會出現
明明是同一個pitch在不同的AIO上CD都不一樣的情形.事實上,當photo在收resist model
時會很care此點,所以會將光罩分成六到八區同樣的pattern,每一區都有四個角落與中間
的AIO,photo會選擇CD均勻度較高的該區來收model,這種做法也稱為收風水,意思是,
找光罩風水最好的一區來收model.同理,若是在pattern wafer上,雖然光罩均勻,但各個
AIO CD不對,那就有可能是CMP或是thin film的問題 (個人經驗).
(六-3)
惡化實驗是在解defect上常見的技巧,簡單地說,Fab不像Lab,不容易以正面的方式去除
變因來找到defect成因,所以乾脆反向思考,若是我增強某個可調參數發現要解的
defect其count增加,就代表這個參數可能與其有關.打個比方,很多photo的人常看到
在dense line上的bubble defect (immersion litho.),一般會看到兩種,一種是
line CD在bubble內CD較大,另一種較小.這是因為一種是氣泡造成的(折射率比水低),
另一種是resist particle造成的(折射率比水高),使得光在進入水後因過程裡看到
的折射率不同所導致.今天假設我懷疑是氣泡,那我就會故意在曝光的時候增加氣泡,
看此種defect type是否增加.這裡要注意,不能反過來作,要是在曝光時故意增加
particle,恭喜你,你會有很cool的下場,檢討會開不完,與PMD完蛋.一般做惡化實驗
會習慣在機台PM前作,比較不怕影響到線上的貨.如果是較危險的惡化實驗,請記得
跟老闆還有設備充分討論後再測試.
(七) 結語
希望這系列文章對於photo新手有些許幫助.原PO已經離開業界了,板上常用的術語是
太平洋沒加蓋,所以已經拿到學校的獎學金,暑假就要游過去,沒打算回台灣了.這裡的
業界氣氛實在讓人心寒,在跨部門開會時,每個module想的第一件事情是,這個責任是我
的嗎?應該是photo的才對.而不是,我的module有辦法解決這問題嗎?要怎麼做呢?
看到新技術出來時,想的是,這有辦法量產嗎?或是等能量產再說. (所以AMOLED韓
國率先把量產機台做出來).而不是,我有辦法做嗎?要如何做呢?
另外,再講一點,現在的大學生也不是笨蛋.今年有認識的(大學生與碩士生)申請到
princeton, caltech, Colorado, oxford,這些人都沒打算回來台灣了!!現在在
社區大學上課時,也認識台北醫學大學的大一學生,準備考廚師證照,然後去國外華人
餐廳實習並工作.生命自會找到出路的.
謝謝~~~
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推 virusC:推你的一系列文章!感謝~ 04/30 20:51
推 eric03032001:感謝分享 雖然用不到 國外制度真的比較好台灣算了吧 04/30 21:00
推 youthanasia:留洋的不回來，長駐大陸的也不回來，台灣只剩服務業了 04/30 21:31
推 VBT:恭喜你登出了 04/30 21:31
推 iammc:GG也變成服務業啦,晶圓代工服務 04/30 21:47
推 gone20080919:推推 04/30 21:52
推 QQ5566:gg一直都當自己服務ya呀 所以混得比其他公司好一點 04/30 22:38
推 William74613:超有感觸~~~ 04/30 22:56
→ NNIILL:太神奇了 要怎麼在曝光的時候增加氣泡 04/30 23:01
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(六) photo中所謂的know-how
所謂know-how,簡單地說,就是如何利用手中或是Fab內已有的工具來解決問題的能力.
礙於security,這裡只介紹boundary limit, AIO (all in one), 惡化實驗.
(六-1)
先談boundary limit的概念.很多時候,photo需要收resist model或是process window.
這兩者都需要收集大量的pitch (line + space)與pattern資料來確定各別的window與
weak point.許多photo會仰賴於design gauge,利用光罩的GDS寫下CD-SEM的recipe
並讓其自動收資料,這種做法的缺點是動輒要收數千到萬筆的資料,而且若是困難的
pattern又需要在伺服器前補點 (相信許多photo都很痛恨這點,常常捕到想睡覺,又
有schedule壓力),所以這時候善用boundary的概念有助於改善此點.一般個人習慣會
對此光罩一次曝三片wafer,第一片拿來找boundary,第二片拿來收資料,第三片拿來補沒量
到的資料或是double check有問題的pitch.再找boundary時,可以先找target pitch的
CD (critical dimension),並在撒開energy-focus的die找一下到哪些die即是window
所在.接下來每隔一定的pitch就找一下上下限的boundary die的位置.所以全部的
pitch要收的die的位置就確定了.這樣子就不需要像disign gauge一樣,不但量測
較慢,而且又會因為量全部的die而點數過多.一般CD-SEM一個小時量350-400點,
若是用design gauge建recipe,會變一個小時量250-300點,老是讓自己點數過多
而把整個CD-SEM的時間簽下來,會讓你的同事怨恨你的.而且硬碟空間也不夠,一直
要求別人把他的量測資料刪除的人也很討厭.
有些情形下,也會遇到雖然光罩沒有該pitch或是CD,但是老闆要你確定其window的情形.
打個比方,現在要量個CD是X1,pitch是X2,但是光罩沒有X2,那photo就可以找光罩上
最接近X2的pitch,一個較大,另一個較小,然後都曝到CD為X1,收其兩個pitch的window,
就可以訂出pitch=X2的時候的大概window.反之,如果現在有pitch=X2,但是光罩沒有
開足夠的寬度使得在Eop (optical energy)條件下沒有CD=X1,那就利用強迫曝更大
Energy的情況下將CD撐到X1,而這時候量出來的window就是lower boundary,因為
是在較為惡劣的情況下得到的window.
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